专利名称：薄膜晶体管制备系统以及薄膜晶体管、阵列基板专利类型：实用新型专利
发明人：魏小丹,杨晓峰,张同局,倪水滨申请号：CN201320433465.7申请日：20130719公开号：CN203521409U公开日：20140402
摘要：本实用新型提供一种薄膜晶体管，包括：源漏电极图形、掺杂半导体层图形、半导体层图形、栅极图形和栅绝缘层图形；所述栅极图形上设有所述栅绝缘层图形，所述栅绝缘层图形上设有所述半导体层图形，所述半导体层图形上设有所述掺杂半导体层图形，所述掺杂半导体层图形上设有所述源漏电极图形。本实用新型提供还一种薄膜晶体管制备系统，所述系统应用于对待加工件进行加工以制备薄膜晶体管；所述系统包括：镀膜装置、光刻胶涂覆装置、湿刻装置、干刻装置、灰化装置、烘箱和机械臂。本实用新型提供的薄膜晶体管制备系统制备的薄膜晶体管内没有钻蚀的问题。
申请人：京东方科技集团股份有限公司,成都京东方光电科技有限公司
地址：100015 北京市丰台区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京路浩知识产权代理有限公司
代理人：王莹
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