专利名称：相变存储材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：许建安,饶峰,宋志棠,刘波,吴良才申请号：CN201110103185.5申请日：20110422公开号：CN102185106A公开日：20110914
摘要：本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料为硅-铋-碲的化合物，化学通式为SiBiTe，其中，10
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海市长宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：李仪萍
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