Q62703-Q2753资料

5mm (T13/4) LED, Diffused

Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED

LH 5464

Besondere Merkmale

qqqqqq

eingefärbtes, diffuses Gehäuse

Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologiebesonders hohe LichtstärkeLötspieße ohne Aufsetzebenegegurtet lieferbar

Störimpulsfest nach DIN 40839

VEX06713Features

qqqqqq

colored, diffused package

double heterojunction in GaAIAs technologyespecially high luminous intensitysolder leads without stand-offavailable taped on reel

load dump resistant acc. to DIN 40839

TypTypeEmissionsfarbeColor ofEmissionGehäusefarbeColor ofPackageLichtstärkeLuminousIntensityIF = 10 mAIV (mcd)10 …25 …40 …63 …25 …1255080125200BestellnummerOrdering CodeLH 5464-MQLH 5464-NLH 5464-PLH 5464-QLH 5464-NRhyper-redred diffusedQ62703-Q3829Q62703-Q3830Q62703-Q2753Q62703-Q3831Q62703-Q3832Streuung der Lichtstärke in einer VerpackungseinheitIV max /IV min≤ 2.0.Luminous intensity ratio in one packaging unitIV max /IV min≤ 2.0.

Semiconductor Group111.96

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LH 5464

Grenzwerte

Maximum RatingsBezeichnungParameterBetriebstemperaturOperating temperature rangeLagertemperaturStorage temperature rangeSperrschichttemperaturJunction temperatureDurchlaßstromForward currentStoßstromSurge currentt≤ 10µs, D = 0.005SperrspannungReverse voltageVerlustleistungPower dissipationTA≤ 25˚CWärmewiderstandThermal resistanceSperrschicht / LuftJunction / airSymbolSymbolWerteValues–55…+100–55…+100+100400.5EinheitUnit˚C˚C˚CmAATopTstgTjIFIFMVRPtot3120VmWRth JA400K/WSemiconductor Group2

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LH 5464

Kennwerte(TA = 25˚C)CharacteristicsBezeichnungParameterWellenlänge des emittierten LichtesWavelength at peak emissionIF = 20mADominantwellenlängeDominant wavelengthIF = 20mASpektrale Bandbreite bei 50%Irel maxSpectral bandwidth at 50%Irel maxIF = 20mAAbstrahlwinkel bei 50%IV (Vollwinkel)Viewing angle at 50%IVDurchlaßspannungForward voltageIF = 10mASperrstromReverse currentVR = 3VKapazitätCapacitanceVR = 0V,f = 1MHzSchaltzeiten:Switching times:IV from 10% to 90%IV from 90% to 10%IF = 100mA,tP = 10µs,RL = 50ΩSymbolSymbol(typ.)λpeak(typ.)(typ.)λdom(typ.)(typ.)∆λ(typ.)2ϕ(typ.)VF(max.)VF(typ.)IR(max.)IR(typ.)C0WerteValues660EinheitUnitnm645nm22nm351.752.60.011025Graddeg.VVµAµApF(typ.)tr(typ.)tf140110nsnsSemiconductor Group3

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LH 5464

Relative spektrale EmissionIrel=f(λ),TA= 25˚C,IF= 20mARelative spectral emission

V (λ) =spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

AbstrahlcharakteristikIrel=f(ϕ)Radiation characteristic

Semiconductor Group4

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DurchlaßstromIF=f(VF)Forward currentTA= 25˚CZulässige ImpulsbelastbarkeitIF=f(tP)Permissible pulse handling capabilityDuty cycle D = parameter,TA= 25˚CSemiconductor GroupLH 5464

Relative LichtstärkeIV/IV(10mA) =f(IF)Relative luminous intensityTA= 25˚C

Maximal zulässiger DurchlaßstromMax. permissible forward currentIF=f(TA)

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Wellenlänge der Strahlungλpeak=f(TA)Wavelength at peak emissionIF= 20mADurchlaßspannungVF=f(TA)Forward voltageIF= 10mASemiconductor GroupLH 5464

Dominantwellenlängeλdom=f(TA)Dominant wavelengthIF= 20mA

Relative LichtstärkeIV/IV(25°C) =f(TA)Relative luminous intensityIF= 10mA

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LH 5464

MaßzeichnungPackage Outlines(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Anodenkennzeichnung:Anode mark:Kürzerer LötspießShort solder lead

Semiconductor Group7

GEX06718