专利名称：利用导电性金属结构体的半导体封装专利类型：实用新型专利发明人：崔伦华,崔淳性申请号：CN201920053964.0申请日：20190114公开号：CN209843696U公开日：20191224
摘要：本实用新型涉及利用导电性金属结构体的半导体封装，尤其，涉及一种利用夹具或柱子形态的导电性金属结构体，使得半导体芯片与引线框架引线形成电性连接，并且，有效地改善半导体芯片与金属结构体结合的部分而提高生产性，并提高耐久性和电性连接特性的利用导电性金属结构体的半导体封装。即，本实用新型包括：半导体芯片；铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。
申请人：JMJ韩国株式会社
地址：韩国的京畿道富川市吉州路425街道,102
国籍：KR
代理机构：北京天盾知识产权代理有限公司
代理人：胡凯
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