专利名称：一种自平衡的太赫兹肖特基势垒二极管专利类型：发明专利
发明人：张勇,任田昊,吴成凯,黎雨坤,靳赛赛申请号：CN201610896409.5申请日：20161014公开号：CN106653868A公开日：20170510
摘要：本发明属于太赫兹波器件技术领域，具体涉及一种具有自平衡功能的太赫兹肖特基势垒二极管；包括从下往上依次层叠的GaAs的半绝缘衬底层、重掺n++GaAs层、轻掺n‑GaAs层和SiO2层，SiO2层上金属阳极与阴极，金属阳极与n‑GaAs层形成肖特基接触，金属阴极与n++GaAs形成欧姆接触；所述二极管包含两个肖特基结，且输入端到两个肖特基结的相位相差180°。本发明的自平衡太赫兹肖特基势垒二极管能够在管子内部实现平衡式的结构，相比于传统的外部平衡式二极管，本发明的二极管特别适合应用于太赫兹频段的高端；且该二极管结构简单、使用方便、便于推广。
申请人：电子科技大学
地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
国籍：CN
代理机构：电子科技大学专利中心
代理人：甘茂
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