（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201510799665.8 （22）申请日 2015.11.19
（71）申请人 台湾积体电路制造股份有限公司
地址 中国台湾新竹
（10）申请公布号 CN106328583A
（43）申请公布日 2017.01.11
（72）发明人 李雅玲;吴林荣;卢一斌
（74）专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 章社杲
（51）Int.CI
H01L21/768; H01L23/532;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
CVD金属晶种层
（57）摘要
本发明涉及形成金属互连层的改进的方法
以减小空隙和提高可靠性以及相关的器件。在一些实施例中，介电层形成在半导体衬底上方并且具有布置在介电层内的开口。使用化学汽相沉积(CVD)工艺在开口的表面上形成金属晶种层。然后在金属晶种层上镀金属层以填充开口。使用CVD工艺形成金属晶种层为晶种层提供良好的均匀
性，这允许填充介电层中的高宽比的开口而没有空隙或夹断。本发明的实施例还涉及CVD金属晶种层。
法律状态
法律状态公告日
2017-01-11 2017-02-08
法律状态信息
公开
实质审查的生效
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公开
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说明书
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