专利名称：半导体基板、半导体基板的制造方法、电子器件、
和电子器件的制造方法
专利类型：发明专利
发明人：高田朋幸,秦雅彦,山中贞则申请号：CN201080010719.3申请日：20100308公开号：CN102341889A公开日：20120201
摘要：本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。
申请人：住友化学株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：蒋亭
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