GaN晶片的CMP加工工艺研究

第２９卷第５期２０１１年１０月轻工胡糖　ＬｉｇｈｔＩｎｄｕｓｔｒｙＭａｅｈ／ｎｅｒｙ　Ｖｏ１２９　Ｎ。．５　Ｏｃｔ２０１１　．．（浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部／浙江省重点实验室，浙江杭州３１００１４）　摘　要：研究了ＧａＮ晶片的化学机械抛光（ＣＭＰ）工艺。分析了在ＣＭＰ加工工艺过程中对ＧａＮ晶片表面质量所产生的影　响。实验采用质量分数３０％的Ｈ：０２溶液与铁经过Ｆｅｎｔｏｎ化学反应２０　ｍｉｎ后作为抛光液，并分别利用２种不同磨粒粒　度Ｗ５和Ｗ０．５对晶片表面抛光，对不同工艺参数加工后的晶片表面进行测试分析，并推测加工过程中晶片表面可能发　生的化学反应。图６表１参ｌ５　关键词：化学机械抛光；ＧａＮ晶片；Ｆｅｎｔｏｎ反应　中图分类号：ＴＧ５８０．６　文献标志码：Ａ　文章编号：１００５－２８９５（２０１１）０５－００４８－０５　Ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＣＭＰ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｏｆ　ＧａＮ　Ｃｈｉｐ　ＳＵＮ　Ｑｉａｎｇ，ＷＵ　Ｊｉａｎ，ＬＩ　Ｗｅｉ　（Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ｓｐｅｃｉａｌ　Ｐｕｒｐｏｓｅ　Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　ａｎｄ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｏｆ　Ｍｉｎｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ／Ｚｈｅｊｉａｎｇ　Ｐｒｏｖｉｎｃｅ，Ｚｈｅｊｉａｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｈａｎｇｚｈｏｕ　３１００１４，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅ　ａｒｔｉｃｌｅ　ｈａｓ　ｓｔｕｄｉｅｄ　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｏｆ　ＧａＮ　ｃｈｉｐ，ａｎａｌｙｚｅｄ　ｔｈｅ　ｉｎｌｕｅｎｃｅ　ｆＣＭＰ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｏｎ　ｔｈｅ　ＣａＮ　ｃｈｉｐ　５ｕ咖ｃｅ　ｑｕａｌｉｔｙ．Ｔｈｅ　ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ　ｔｏｏｋ　ｔｈｅ　ｄｅｎｓｉｔｙ　３０％Ｈ２　０２　ｓｏｌｕｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｉｒｏｎ　ａｆｔｅｒ　Ｆｅｎｔｏｎ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｒｅｓｐｏｎｄｅｄ　ａｂｏｕｔ　２０　ｍｉｎｓ　ａｓ　ｔｈｅ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ，Ｕｓｅｓ　ｔｗｏ　ｋｉｎｄｓ　ｏｆ　ｄｉｆｅｒｅｎｔ　ａｂｒａｓｉｖｅ　ｇｒａｎｕｌａｒｉｔｙ　Ｗ５　ａｎｄ　Ｗ０．５　ｐｏｌｉｓｈｅｄ　ｓｅｐａｒａｔｅｌｙ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｃｈｉｐ　ｓｕｒｆａｃｅ，ｃａｒｉｅｄ　ｏｎ　ｔｒｈｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ｔｅｓｔ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｃｈｉｐ　ｓｕｒｆａｃｅ　ａｆｔｅｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ　ｐａｒａｍｅｔｅｒ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，ａｎｄ　ｅｘｔｒａｐｏｌａｔｅｄ　ｔｈｅ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　ｗｈｉｃｈ　ｐｏｓｓｉｂｌｙ　ｏｃｃｕｒｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ＣＭＰ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｃｈｉｐ　ｓｕｒｆａｃｅ．［Ｃｈ，６　ｆｉｇ．１　ｔａｂ．１５　ｒｅｆ．］　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ）；ＧａＮ　ｃｈｉｐ；ｆｅｎｔｏｎ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　０　引言　基的加工方法　；Ｊ．Ｍｕｒａｔａ等人利用过氧化氢与铁中　反应，再对ＧａＮ进行化学刻蚀加工　；利用ＨＶＰＥ法　氮化镓（ＧａＮ）晶体是在衬底材料蓝宝石上生长出　来的第三代半导体新型电子材料，具有带隙宽、电子漂　移饱和速率高、介电常数小、很好的光学性质等优点，　在航空航天、探测、核能开发、卫星、通信等领域有更广　阔的应用前景¨　。在非有意掺杂情况下生长ＧａＮ晶　对自由态ＧａＮ基体修整的化学机械抛光等　ｊ。虽然　这些方法能够改善ＧａＮ晶片的表面精度，但是要求的　条件比较特殊，且加工效率比较低，很难实现批量生　产。文章在分析单晶ＧａＮ生长和性质的基础上，通过　对单晶ＧａＮ晶片的ＣＭＰ加工技术的深入研究分析，　及对单晶ＧａＮ晶片表面加工质量的主要参数进行工　体时，材料呈ｎ型半导体的特性，且较难得到，而掺杂　剂为ｓｉ和ｃｅ的ｎ型半导体较易得到；由于ＧａＮ其本　身特殊的物理和化学特性，要想获得表面精度很高的　ＧａＮ晶体非常困难［３引。随着对ＧａＮ晶体的研究的深　入和广泛，一些对ＧａＮ晶体生长及加工的方法得到了　定的改善：比如在特定的条件下，Ａｒｕｌ　Ｃｈａｋｋａｒａｖａｒｔｈｉ　Ａｒｊｕｎａｎ等人利用ＣＭＰ的方法改变自由基态ＧａＮ肖特　一艺实验研究，实现对其加工表面精度的要求，从而能够　进行对少量单晶ＧａＮ晶片生产的研磨加工。　１　实验材料与实验参数　１．１　ＧａＮ晶体的材料性能　ＧａＮ是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材　收稿Ｅｔ期：２０１０—１１－０５；修回日期：２０１１－０２－１６　作者简介：孙强（１９８５），男，安徽淮北人，浙江工业大学硕士研究生，主要从事超精密加工与半导体方面研究。Ｅ—ｍａｉｌ　ｈｕａｉｓｕｎｑｉａｎｇ＠１６３．ｃｏｒｎ　［栅造・维修］　孙强，等ＧａＮ晶片的ＣＭＰ加工工艺研究　・４９・　料，质量密度为６．１５　ｇ／ｃｍ　，熔点高达２　３００℃，但是其　分解点在９００￣Ｃ左右。ＧａＮ基材料是直接跃迁型半导　体材料，带隙为３．３９　ｅＶ，热导率为１．３　ｗ／（ｃｍ・Ｋ），　是一种很好的光电子材料，常被用来作为发光二极管。　ＧａＮ具有很高的击穿场强，可达３×１０。Ｖ／ｃｍ；室温　下，其电子饱和迁移率可达９００　ｃｍ　／（Ｖ・Ｓ）。具有纤　锌矿和闪锌矿２种晶体结构，在蓝宝石衬底上生长的　ＧａＮ都是纤锌矿结构，这种结构性能较好，应用也较　广。由于ＧａＮ晶体结构特殊，在室温条件下，它不溶　于水、酸、碱，能抗常规的湿法腐蚀　。　１．２实验材料与实验参数　实验采用的ＧａＮ晶片是在蓝宝石基体上生长的　一种六方晶系纤锌矿Ｐ型的单晶体，其尺寸大小为２　英寸，如图１所示为实验所用的ＧａＮ晶片。　图１　实验所用ＧａＮ晶片　Ｆｉｇｕｒｅ　１　Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ　ｕｓｅｓ　ｔｈｅ　ＧａＮ　ｃｈｉｐ　实验过程中，ＧａＮ晶片是用热熔的石蜡均匀地粘　在配重盘上的，然后再把配重盘分按三等分均匀地分　布在抛光盘上，上面的压力可以根据需要加减配重盘　进行调节。抛光时，抛光盘绕主轴以某速度旋转，配重　盘在摩擦力的作用下随之转动，对晶片抛光加工，实验　前，抛光盘上均匀地涂上研磨膏，加工原理如图２　所示。　实验所用抛光液是质量分数为３０％的过氧化氢　溶液与铁块反应：２０　ｍｉｎ后的溶液，为研究该抛光液的　作用，实验引入一种磨削中的普通抛光液（ＦＡＯ／Ｓ８０１０　型）与过氧化氢与铁反应后溶液做对比。过氧化氢与　铁块会发生Ｆｅｎｔｏｎ反应，如式（１）与式（２）所示　Ｆｅ　＋Ｈ２０２一斗Ｆｅ　＋ＯＨ＋ＯＨ一　（１）　Ｆｅ。　＋Ｈ２０２一　Ｆｅ　＋ＯＯＨ＋Ｈ一　（２）　由式（１）与式（２）可得式（３）　Ｆｅ＋３Ｈ，０，一　Ｍ　＋３０Ｈ　＋３０Ｈ一　（３）　图２抛光原理图　Ｆｉｇｕｒｅ　２　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｓｃｈｅｍａｔｉｃ　ｄｉａｇｒａｍ　开始溶液中有气泡产生，一段时间后，溶液变成乳　白色液体　ｍ　，表面有类似泡沫的物质覆盖在抛光盘　与晶体表面，如图３所示。抛光过程中产生的白色泡　沫状物质，实验证明该物质能够改善晶体的表面质量。　图３抛光过程产生的白色泡沫状物质　Ｆｉｇｕｒｅ　３　Ｗｈｉｔｅ　ｆｏａｍｉｎｇ　ｓｔａｔｅ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｉｎ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｐｒｏｄｕｃｅｓ　根据Ｊ．Ｌ．Ｗｅｙｈｅｒ等人的研究　有式（４）所示　ＧａＮ＋ＯＨ一＋３Ｈ２０　Ｇａ（ＯＨ）　＋ＮＨ３　（４）　式（４）中得到的氢氧化镓离子是一种较软且溶解　于水的物质，但是氢氧化镓在酸性中是一种不是很稳　定的物质，易与酸发生中和反应，生成一种不溶于水但　溶于酸和碱的白色胶状物，这种物质可以使ＧａＮ晶体　不断被腐蚀。根据Ｇ．Ｎｏｗａｋ等人的研究　，式（４）又　可以写为式（５），生成一种白色微溶于水的物质Ｇａ　０，，这种物质在ＯＨ一作用下，氧化镓参与反应生成三　价氧化镓离子，如式（６）所示，这样可以促进晶体表面　的反应，改善对ＧａＮ晶片表面抛光效果。　・５６・　轻工机械Ｌｉｇｈｔ　Ｉｎｄｕｓｔｒｙ　Ｍａｃｈｉｎｅｒｙ　２０１１年第５期　输出０　Ｐｕｌｓｅ　ｗｉｔｈ　ｃｏｕｎｔｅｒ　ｃｌｏｃｋ．１　Ｌｅｖｅｌ　ｗｉｈ　ｔｃｌｅａｒ　ｉｎｔｅｒｒｕｐｔ　３结论　第１种计数对比定位剔盖的方法，在较低速度下　ＤＯＭｏｄｅＰａｒａ［０］．ｂＯｖｅｒＣｏｍｐａｒｅ＝１；／／（ＯＣ）设　置数字量输出通道是否置大于比较寄存器的值（０：　Ｎ／Ａ，１：置大于）　ＤＯＭｏｄｅＰａｒａ［０］．ｂＵｎｄｅｒＣｏｍｐａｒｅ＝０；／／（ＵＣ）设　比较可靠，且成本相对较低；但由于对比计数的准确性　问题，抗干扰能力相对较弱。第２种编码器编码定点　剔除的方法，依靠Ｐｃ及运动控制卡利用传送带位置　编码的方式来定点剔盖，由于在硬件上增加了运动控　制卡和编码器，成本相对较高，但在高速或低速方式下　置数字量输出通道是否置小于比较寄存器的值（０：　Ｎ／Ａ，ｌ：置小于）　ＰＣＩ２３９４ＳｅｔＤｅｖＤＯＭｏｄｅ（ｈＤｅｖｉｃｅ，＆ＤＯＭｏｄｅＰａｒａ　一［０］）；　在图像处理结束后，如果判断出盖子属于需要剔　均能可靠工作，且抗干扰能力强，是不错的选择，也是　我们目前推广使用的在线定点剔盖方法。　参考文献（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅｓ）：　［１］　中国罐头工业协会科技工作委员会．马口铁食品三片罐工艺技术　除的，即根据当前取得的盖子位置编码值添加１个拍　照定位与剔除定位之间位置偏移值，写人ＰＣＩ２３９４卡，　令其在指定位置进行中断输出。代码如下　］：　ＰＣＩ２３９４一［Ｍ］．北京：中国轻工业出版社，２００８：１１８—１３０．　［２］　杨邦英．罐头工业手册［Ｍ］．北京：中国轻工业出版社，２００２：　３２８－３４９．　［３］　郑宗汉．实时系统软件基础［Ｍ］．北京：清华大学出版社，２００２：　１０９．１３５．　ＧｅｔＤｅｖｉｃｅＣＮＴ（ｈＤｅｖｉｃｅ，＆ｎＣＮＴＶａｌｕｅ　［０］，０）；／／获得ｌ通道计数器当前锁存值　ｃＮＴｃｏｍｐＶａｌｕｅ［Ｏ］＝ｎＣＮＴＶａｌｕｅ［０］一１２０；／／根据　锁存值确定比较值，１２０是位置偏移量，需根据实际情　况调整　ＰＣＩ２３９４　一　［４】　胡新和，曾志．操作系统：Ｗｉｎｄｏｗｓ版［Ｍ】．武汉：武汉大学出版　社。２００７．　［５］　李现勇．Ｖｉｓｕａｌ　Ｃ＋＋串口通信技术与工程实践［Ｍ］．北京：人民　邮电出版社，２００２：８９—１４５．　［６］　西门子（中国）有限公司自动化与驱动集团．￥７－２００系统手册　［Ｇ】．北京：西门子（中国）有限公司自动化与驱动集团，２００３：　１Ｏ　１２．　ＳｅｔＤｅｖＣｏｍｐＶａｌｕｅ　（ｈＤｅｖｉｃｅ，　ｃＮＴｃｏｍｐＶａｌｕｅ［０］，０）；／／设置ｌ通道比较器比较值　系统控制ＰＬＣ根据运动控制卡的输出作出盖子　剔除的动作。　２．３实际应用效果　［７］　向晓汉．西门子ＰＬＣ高级应用实例精解［Ｍ］．北京：机械工业出版　社．２０１０．　［８］　申立琴，马彩文，田新锋．西门子ＰＬＣ控制大量步进电机的应用　研究［Ｊ］．机电工程，２００８，２５（５）：９—１１．　［９］　北京阿尔泰科技有限公司．ＰＣ１２３９４编码器和计数器卡硬件使用　说明书［Ｇ］．北京：北京阿尔泰科技有限公司，２００７：１—１５．　［１０］　北京阿尔泰科技有限公司．ＰＣＩ２３９４计数器卡驱动程序使用说　明书［Ｇ］．北京：北京阿尔泰科技有限公司，２００７：７—１３．　从我们的实际应用效果来看，编码器编码定点剔　除的方法，在高速或低速方式下均能可靠工作，连续数　百个盖子能百分百剔除，剔盖准确性高。定位光纤纵　使被误触发，对后续的定位剔盖也没有影响。　尘妇ｊ　●　ｊ　ｋ　ｊ‘｝ｊ‘｝ｊｋ　啦　ｊＩ｝　业ｊ　毫‘｝　ｋ夸　ｊ　坐　Ｉ；　ｊ■｝ｊ　１Ｉ‘　ｊ‘　Ｉ；　ｊＩ｝ｊ‘｝　Ｉ　ｊｋ坐ｊ‘　ｊ　曲｝夸　业　（上接第５１页）　［７］ＭＵＲＡＴＡ　Ｊ，ＫＵＢＯＴＡ　Ａ，ＹＡＧＩ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＧａＮ　ｕｓｉｎｇ　ｈｙｄｒｏｘｙｌ　ｒａｄｉｃａｌｓ　ｇｅｎｅｒａｔｅｄ　ｏｎ　ａ　ｃａｔａｌｙｓｔ　ｐｌａｔｅ　ｉｎ　Ｈ２　Ｏ２　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｏｒ　ｏｂｔａｉｎｉｎｇ　ｓｕｐｅｒ—ｓｍｏｏｔｈ　ｓｕｒｆａｃｅ８　ｏｆ　ｑｕａｒｔｚ　ｃｒｙｓｔａｌ［Ｊｊ．　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓ　ＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００３，１３８：１１６—１１９．　ＭＹＥＲＳ　ＴＨ．ＶＡＮＭＩＬ　Ｂ　Ｌ，ＨＯＬＢＥＲＴ　Ｌ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｕｓｅ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ｔｏ　ｒｅｍｏｖｅ　ｓｕｂ—ｓｕｒｆａｃｅ　ｄａｍａｇｅ　ｉｎ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＣｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，２００８，３１０：１６３７—１６４１．　８］Ｋ１Ｍ　Ｈ　Ｍ，ＯＨ　Ｊ　Ｅ，ＫＡＮＧ　Ｔ　Ｗ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｌａｒｇｅ　８ｒｅａ　ｆｒｅｅ　ｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｂｙ　ＨＶＰＥ　ｕｓｉｎｇ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｌｉｆｔｏｆｆ　ｂｕｌｋ　ＧｎＮ［Ｊ］．Ｊｏｕｍａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔｌａ　Ｇｒｏｔｈ，ｗ２００２，２４６：２４４＿２５１．　ＳＵＳＫＩ　Ｔ，ＪＵＮ　Ｊ，ＬＥＳＺＣＺＹＮＳＫＩ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ　ｍｅｔｈｏｄ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒｉｌｓ　Ｌｅｔａｔｅｒｓ，２００１，４７：２７６－２８０．　９］　ＹＵＡＮ　Ｊ　Ｌ，ＺＨＡＯ　Ｐ，ＲＵＡＮ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｐｐｉｎｇ　ａｎｄ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｐｒｏｅｓｃｓ　ｏｆ　ＧａＮ：Ｍｇ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒｉｌａｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｂ。１９９９，５９：１—１１．　ｆｏｒ　ｏｂｔａｉｎｉｎｇ　ｓｕｐｅｒ－ｓｍｏｏｔｈ　Ｓｌｌｒｆａｃｅｓ　ｏｆ　ｑｕａｒｔｚ　ｃｒｙｓｔａｌ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００３，１３８：１　１６—１　１９．　ＷＥＹＨＥＲ　Ｊ　Ｌ．ＭＵＬＬＥＲ　Ｓ，ＧＲＺＥＧＯＲＹ　Ｉ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ　ｆｏ　ｂｕｌｋ　ｎｄａ　ｅｐｉｔａｘｉｌａ　ＧａＮ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，　１９９７，１８２：１７－２２．　１　１０］ＲＹＵ　Ｊｅｏｎｇ　Ｈｏ，ＯＨ　Ｄｏｎｇ　Ｋｅｕｎ，ＹＯＯＮ　Ｓｅｏｎ　Ｔａｅ，ｅｔ　ａ１．Ｏｐｔｉｃａｌ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｒｉｓｔｉｅｓ　ｏｆ　ＧａＮ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔｌｓ　ａｇｒｏｗｎ　ｂｙ　ｔｈｅ　ＨＶＰＥ：Ｅｆｆｅｃｔｓ　ｏｆ　ＮＯＷＡＫ　Ｇ，ＸＩＡ　Ｘ　Ｈ，ＫＥＬＬＹ　Ｊ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ｅｔｃｈｉｎｇ　ｔｈｅｒｍａｌ　ａｎｎｅａｌｉｎｇ　ａｎｄ　Ｎ２　ｐｌａｓｍａ　ｔｅｒａｔｍｅｎｔ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔｌａ　Ｇｒｏｗｔｈ，２００６，２９２：２０６－２１１．　ｏｆ　ｈｉｇｈｌｙ　ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　ＧａＮ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔｌｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒａｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ，２００１，２２２：７３５－７４０．　［１１］ＹＵＡＮ　Ｊ　Ｌ，ＺＨＡＯ　Ｐ，ＲＵＡＮ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｌａｐｐｉｎｇ　ａｎｄ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ