专利名称：等离子体处理装置及其清洗方法专利类型：发明专利发明人：叶如彬
申请号：CN201510982855.3申请日：20151224公开号：CN106920726A公开日：20170704
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置，包含：反应腔室；所述反应腔室内的顶部设有喷淋头，向反应腔室内引入清洁气体；所述喷淋头处设置有第一电极；所述的反应腔室内的底部设有基座；所述基座处设置有第二电极；移动环，其沿反应腔室的侧壁内侧设置；所述移动环内设置有第三电极，该第三电极上施加有高压电源，在该第三电极的附近区域形成局部DBD等离子体，以对位于第三电极附近的部件，包括移动环的表面进行局部增强的等离子体清洗。本发明还涉及等离子体处理装置的清洗方法。本发明针对移动环进行局部增强的DBD等离子体清洗，完全清除其上沉积的聚合物，有效提高反应腔室的稳定性。
申请人：中微半导体设备(上海)有限公司
地址：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
国籍：CN
代理机构：上海信好专利代理事务所(普通合伙)
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