专利名称：有机硅氧烷共聚物膜、其制造方法以及生长装置和
使用该共聚物膜的半导体装置
专利类型：发明专利发明人：林喜宏申请号：CN03821732.5申请日：20030715公开号：CN1682356A公开日：20051012
摘要：本发明提供适用于分离半导体装置的多层铜布线的、在与基底或者上层的无机绝缘膜连接的界面上机械强度和密合性优良并且作为整个膜的实际相对介电常数较低的绝缘性有机聚合物膜，该绝缘性有机聚合物膜是以环状硅氧烷和直链状硅氧烷为原料，通过等离子体激发使两者聚合而成的有机硅氧烷共聚物膜，其中在与无机绝缘膜连接的界面上其膜组成以直链状硅氧烷成分为主要成分，从而设置致密并且密合性优良的膜质的界面层，在膜内部，内部具有被环状硅氧烷骨架包围的空穴的环状硅氧烷成分和直链状硅氧烷成分混合存在，具有密度较低的网状结构的层，在上述的膜厚方向上具有组成变化的共聚物膜上形成有埋入铜薄膜的多层布线。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
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