专利名称：铁磁合金Co-Fe-C薄膜器件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：王嘉维,林现庆申请号：CN201910915402.7申请日：20190926公开号：CN110620173A公开日：20191227
摘要：本发明的铁磁合金Co‑Fe‑C薄膜器件，由第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层组成；所述的第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层由上而下依次重叠，其中所述的第一钽层的厚度为5纳米，所述的合金层的厚度为20纳米，所述的第二钽层的厚度为5纳米，所述的硅衬底层的厚度为0.2和0.5毫米。本发明还包括铁磁合金Co‑Fe‑C薄膜器件的制备方法。本发明可以实现在特定的碳元素含量下同时具有比Co‑Fe‑B合金更优异的磁致伸缩系数、能量衰减系数和热稳定性，在磁电耦合器件和自旋电子学器件都有应用的潜力。
申请人：浙江工业大学
地址：310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号
国籍：CN
代理机构：杭州天正专利事务所有限公司
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