专利名称：NAND FLASH控制器专利类型：实用新型专利发明人：阙金珍
申请号：CN200720178326.9申请日：20071008公开号：CN201134270Y公开日：20081015
摘要：本实用新型涉及一种NAND FLASH控制器，包括：命令和地址数据传输通道，连接所述总线时序接口和所述通道选择器，用于传输命令和地址数据；数据缓冲区，用于接收系统总线通过述总线时序接口传送的信息数据；控制寄存器，用于接收系统总线通过述总线时序接口配置的工作参数；逻辑控制器，用于依据工作参数在数据缓冲区写入或读取数据信息；通道选择器，用于依据工作参数接通DMA数据传输通道或命令和地址数据传输通道，将传输通道的数据传送至FLASH时序发生器。同时，本实用新型还公开NAND FLASH控制器与NANDFLASH芯片数据交互方法。本实用新型能够提高数据传输效率，并能够灵活兼容各种NAND FLASH芯片。
申请人：福州瑞芯微电子有限公司
地址：350011 福建省福州市福新中路75号永同昌大厦15D
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：逯长明
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