专利名称：去除半导体生产中残留物用的组合物和方法专利类型：发明专利
发明人：W·M·李,K·叶,X-D·丁,D·J·马朗伊申请号：CN02141901.9申请日：20020629公开号：CN1465687A公开日：20040107
摘要：一种清除聚合原料和蚀刻残余物用的去除剂，含有2－(2－氨基乙基氨基)－乙醇和选择性地含有另一种2个碳原子键合的链烷醇胺化合物，没食子酸或儿茶酚，水，极性有机溶剂和羟胺。一种清除基片如含钛金属的集成电路半导体薄片上的光致抗蚀剂或其它残余物的方法，包括将基片与上述组合物接触，时间和温度足以能够去除基片上的光致抗蚀剂或其它残余物。在上述组合物和方法中使用的2－(2－氨基乙基氨基)－乙醇提高了残余物的清除能力，而对基片上的钛或其它金属没有侵害。该组合物优选的闪点大于约130℃。
申请人：EKC技术公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：王景灏
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