专利名称：氧化物半导体薄膜专利类型：发明专利
发明人：大竹文人,小林大士,上野充,和田优,松本浩一申请号：CN201880074511.4申请日：20181119公开号：CN111373514A公开日：20200703
摘要：本发明提供了一种氧化物半导体薄膜，其由包含In、Zn、Ti及Sn的氧化物半导体构成，(In+Sn)/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.36以上且0.92以下，Sn/(In+Sn)的原子比为0.02以上且0.46以下，Sn/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.42以下，Ti/(In+Zn+Ti+Sn)的原子比为0.01以上且0.10以下。
申请人：株式会社爱发科
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
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