专利名称：控制等离子体加工的系统和方法专利类型：发明专利
发明人：阿洛科·兰詹,彼得·文特泽克,大幡光德申请号：CN201980045152.4申请日：20190808公开号：CN112424904A公开日：20210226
摘要：一种等离子体加工系统包括真空室、第一耦合电极、布置在该真空室中的衬底固持器、第二耦合电极以及控制器。该衬底固持器被配置为支撑衬底。该第一耦合电极被配置为提供用于在该真空室中生成等离子体的功率。该第一耦合电极被进一步配置为将源功率脉冲耦合到该等离子体。该第二耦合电极被配置为将偏置功率脉冲耦合到该衬底。该控制器被配置为控制这些源功率脉冲这些偏置功率脉冲之间的第一偏移持续时间。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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