专利名称：一种器件寄生电容参数的提取结构和方法专利类型：发明专利发明人：沈立
申请号：CN201710490920.X申请日：20170627公开号：CN109143010A公开日：20190104
摘要：本发明提出了一种基于raphael仿真和互连线测试结构的无SEM数据的ITF电容参数的提取结构和方法，以精确有效的提取ITF电容参数。该方法包含了五种电容的测量和仿真，在raphael仿真时逐渐改变部分ITF参数，并将仿真结果和实测值进行对比，取仿真值和实测值最小误差所对应的ITF参数作为有效值；该方法仅仅结合实测电容值和raphael仿真结果、并且不使用SEM数据。
申请人：上海卓弘微系统科技有限公司
地址：201399 上海市浦东新区惠南镇沪南公路9356弄1-36号407室
国籍：CN
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