专利名称：一种TFT阵列结构及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：赵本刚,袁剑峰,李雄平,马小军,时伟强申请号：CN200910055777.7申请日：20090731公开号：CN101989015A公开日：20110323
摘要：本发明揭露了一种TFT阵列结构及其制造方法，所述TFT阵列结构包括：基板；形成于基板上的栅电极扫描线和与所述栅电极扫描线一体的栅电极；形成于栅电极上的栅电极绝缘层；形成于栅电极绝缘层上的半导体有源层；形成于栅电极绝缘层上的数据线、漏电极、与所述数据线一体的源电极，其中漏电极和源电极部分搭接到所述半导体有源层上；形成于栅电极绝缘层上的公共电极；形成于数据线、漏电极、源电极和公共电极上的钝化层，并在漏电极上形成钝化层过孔；形成于钝化层上的像素电极，并通过所述漏电极上的钝化层过孔与所述漏电极相连；其中，公共电极至少部分采用透明材料。本发明提供的TFT阵列结构可以兼顾开口率的提高、存储电容的优化和引线电阻的降低。
申请人：上海天马微电子有限公司
地址：201201 上海市浦东新区汇庆路889号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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