（12）发明专利说明书
（21）申请号 CN201010250741.7 （22）申请日 2010.08.10
（71）申请人 台湾积体电路制造股份有限公司
地址 中国台湾新竹市
（10）申请公布号 CN102208342B
（43）申请公布日 2013.11.06
（72）发明人 陈明发;林宜静
（74）专利代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 姜燕
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
硅穿孔的形成方法
（57）摘要
本发明提供一种硅穿孔(TSV)的形成
方法。在一实施例中，该方法包括在接触开口与TSV开口中形成导电层，之后以一道化学机械研磨工艺去除接触开口与TSV开口以外的导电材料，以分别形成接触插塞与TSV结构。本发明的硅穿孔的形成方法同时进行接触插塞与TSV的填充工艺与化学机械研磨。除了具有以单一步骤进行化学机械研磨的优点的外，以单一步骤进行金属填充工艺可进一步降低工艺成本。 法律状态
法律状态公告日
2011-10-05 2011-11-23 2013-11-06
公开
法律状态信息
公开
实质审查的生效 授权
法律状态
实质审查的生效 授权
权利要求说明书
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说明书
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