专利名称：晶圆缺陷监控系统及其监控方法专利类型：发明专利发明人：盛利霞,黄莉晶,韩超申请号：CN202010414919.0申请日：20200515公开号：CN111554588A公开日：20200818
摘要：本发明提供了一种晶圆缺陷监控系统及其监控方法，所述晶圆缺陷监控方法包括：提供同一批提供多个晶圆；将每个所述晶圆的晶面划分为若干检测区，所有所述晶圆的检测区的位置一一对应，对所述晶圆上的检测区顺次编号为1...n，n≥2；对多个所述晶圆的检测区进行缺陷扫描，并统计出现缺陷的检测区；当同一编号的检测区出现缺陷的次数大于第一阈值时，进行报警。本发明的技术方案能够对多个晶圆的固定位置缺陷进行实时监控，并及时地报警，避免晶圆良率的损失。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201315 上海市浦东新区良腾路6号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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