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CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION OF SUBSTRATES CO

2020-02-23 来源:步旅网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION

OF SUBSTRATES CONTAINING COPPER,RUTHENIUM, AND TANTALUM LAYERS

发明人:Yuzhuo LI,Ke WANG申请号:US14884984申请日:20151016

公开号:US20160035582A1公开日:20160204

摘要:A chemical-mechanical polishing composition comprising:

申请人:BASF SE

地址:Ludwigshafen DE

国籍:DE

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