专利名称：高分子PTC芯片电加热复合工艺专利类型：发明专利
发明人：吴国臣,刘正平,王军,刘玉堂申请号：CN200710172503.7申请日：20071218公开号：CN101192461A公开日：20080604
摘要：一种高分子PTC芯片电加热复合工艺，包括制备高分子芯材，在芯材表面叠放金属箔片并复合，其中，所述的复合包括：将金属箔片包覆芯材的上、下表面及一个侧表面并放入压机中，将金属箔片的两端贴上金属导线接入电路，在机压的同时通电使芯材加热，制成高分子PTC芯片。优点是：本发明采用对叠置在芯材表面的金属箔片进行通电，利用通电产生的热量加上压机加压制成高分子PTC芯片，工艺简单，加热机压同时完成，制造过程中热量分布均匀，使制得的PTC芯片电气与物理特性的稳定性、一致性良好。
申请人：上海维安热电材料股份有限公司
地址：200092 上海市虹口区四平路710号715-Z
国籍：CN
代理机构：上海东亚专利商标代理有限公司
代理人：董梅
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