专利名称：发光二极管芯片专利类型：发明专利
发明人：郭祐祯,赖腾宪,康凯舜,兰彦廷,黄靖恩,陈正彬,简玮
辰,郑至钦,曾志宏
申请号：CN201610255191.5申请日：20160422公开号：CN106067496A公开日：20161102
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体组件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层及第二电极。半导体组件层包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层及位于第一型与第二型掺杂半导体层之间的发光层。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层配置于第二型掺杂半导体层上。电流阻挡层夹于电流分散层与第二型掺杂半导体层之间。第二电极配置于电流分散层上并与第二型掺杂半导体层电性连接。电流阻挡层具有面向半导体组件层的第一表面、背向半导体组件层的第二表面以及第一斜面。第一斜面连接于第一表面与第二表面之间且相对于第一表面与第二表面倾斜。本发明提供的多种发光二极管芯片具有优良的性能。
申请人：新世纪光电股份有限公司
地址：中国台湾台南市南部科学工业园区大利三路5号
国籍：TW
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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