专利名称：射频压力传感器专利类型：发明专利
发明人：孙成亮,谢英,王雅馨,杨超翔,曲远航申请号：CN202011633610.7申请日：20201231公开号：CN112816109A公开日：20210518
摘要：本发明公开了一种射频压力传感器，包括带有空腔的衬底，沉积在衬底上表面的布拉格反射栅层结构以及形成在反射栅层结构上的压电堆叠结构。布拉格反射栅层结构从下至上依次为低声阻抗层和高声阻抗层的交替叠加；压电堆叠结构从下至上依次为底电极、压电层及顶电极。当压力作用于传感器时，由于空腔的存在，压电堆叠结构、反射栅层结构及空腔上衬底薄层在压力的作用下发生相应形变，引起谐振频率的偏移，最终测量出压力的变化。通过设置的反射栅层结构和空腔上的衬底层，可以增加传感器的稳定性；传感器可承受更大的压力，即可测量压力范围更大，应用范围更广。同时，SiO薄膜层可以减少谐振器的温漂问题，进一步增大传感器的稳定性与准确性。
申请人：武汉大学
地址：430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
国籍：CN
代理机构：武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：胡甜甜
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