专利名称：一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法专利类型：发明专利发明人：李风浪,李舒歆申请号：CN201611051510.7申请日：20161125公开号：CN106601795A公开日：20170426
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽式场效应晶体管及其制造方法。本发明制造出的沟槽式场效应晶体管包括衬底、n‑外延层、p型体区、n+有源区、沟槽以及沟槽内的多晶硅栅极和栅氧化层，所述沟槽内还包含绝缘介质层，所述绝缘介质层将多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧分割成分别靠近两侧p型体区的两部分，并且所述多晶硅栅极靠近沟槽底部一侧对应的沟槽底部与n‑外延层之间形成p型掺杂区。本发明有效减小栅‑漏寄生电容，提高开关速度。
申请人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
地址：523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业工发区生产力大厦406
国籍：CN
代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人：连平
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