专利名称：一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：朱洪亮,朱小宁,刘德伟,马丽,赵玲娟申请号：CN201010113777.0申请日：20100224公开号：CN101807616A公开日：20100818
摘要：本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点，使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收，为光电流作出贡献，解决了传统硅基电池受红外吸收限制，不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题，有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
申请人：中国科学院半导体研究所
地址：100083 北京市海淀区清华东路甲35号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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