专利名称：相对于光刻部件间距减小的图案专利类型：发明专利
发明人：卢安·特兰,威廉·T·雷里查,约翰·李,拉马康斯·阿拉帕
蒂,希罗恩·霍纳卡,孟双,普尼特·夏尔马,白静怡,尹治平,保罗·摩根,米尔扎菲尔·K·阿巴切夫,古尔特杰·S·桑胡,D·马克·杜尔詹
申请号：CN200680013194.2申请日：20060303公开号：CN101164147A公开日：20080416
摘要：通过使用掩模蚀刻衬底(110)形成集成电路(100)的不同大小的部件，其中所述掩模是通过组合两个单独形成的图案(177)和(230)而形成。使用间距倍增形成第一图案(177)的相对较小的部件(175)，且使用常规的光刻形成第二图案(230)的相对较大的部件。通过对光阻进行图案化且接着将所述图案蚀刻到非晶碳层中来实现间距倍增。接着在所述非晶碳的侧壁上形成侧壁隔离物(175)。移除所述非晶碳，从而留下所述侧壁隔离物(175)，所述侧壁隔离物(175)界定所述第一掩模图案(177)。接着在所述隔离物(175)周围沉积底部抗反射涂层(BARC)以形成平坦表面，且在所述BARC上方形成光阻层。接下来通过常规的光刻来图案化所述光阻以形成所述第二图案(230)，所述第二图案(230)接着被转移到所述BARC。将由所述第一图案(177)和第二图案(230)形成的组合图案(177、230)转移到下伏非晶硅层(150)，且使所述图案经受碳剥离以移除BARC和光阻材料。接着将所述组合图案(177、230)转移到所述氧化硅层(155)，且接着转移到非晶碳掩模层(160)。接着通过所述非晶碳硬掩模层(160)将具有不同大小部件的所述组合的掩模图案(177、230)蚀刻到所述下伏衬底(110)中。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王允方
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容