专利名称：聚焦环和等离子体处理装置专利类型：发明专利
发明人：輿石公,田中秀朗,冈山信幸,宫川正章,水上俊介,清水
涉,广濑润,若木俊克,三轮智典,大薮淳,林大辅
申请号：CN200410078499.4申请日：20040906公开号：CN1591793A公开日：20050309
摘要：提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：龙淳
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容