专利名称：远等离子体室清理中的自由基引发剂专利类型：发明专利发明人：齐宾
申请号：CN200610105463.X申请日：20060707公开号：CN1891856A公开日：20070110
摘要：本发明涉及在远等离子体清理CVD加工室和设备以除去此类沉积加工室和设备的壁、表面等上形成的不需要的沉积副产物中的改进。该远清理方法中的改进在于在用于产生所述等离子体的远等离子体发生器的下游提供自由基引发剂，所述自由基引发剂能在所述等离子体存在下形成自由基。
申请人：气体产品与化学公司
地址：美国宾夕法尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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