专利名称：存储器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：赖二琨
申请号：CN201310498838.3申请日：20131022公开号：CN104576538A公开日：20150429
摘要：本发明公开了一种存储器及其制造方法，该存储器包括一衬底、多个包括相互交替的半导体层和第一绝缘层的位线叠层、一存储器层、多个第二绝缘层、以及多个串行选择结构。位线叠层是平行配置在衬底上方。位线叠层各具有相对的二个侧壁。存储器层是配置在位线叠层的侧壁上。第二绝缘层是分别配置在位线叠层各者之上。串行选择结构是对应位线叠层配置。串行选择结构各包括一第一导电层及二个衬垫层，第一导电层是配置在对应的第二绝缘层上，二个衬垫层分别沿着对应的位线叠层的相对二个侧壁配置并连接第一导电层。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
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