专利名称：碳纳米管场发射体及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：柳鹏,周段亮,张春海,潜力,王昱权,郭雪伟,马丽永,王
福军,范守善
申请号：CN201910642109.8申请日：20190716公开号：CN112242280A公开日：20210119
摘要：本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列；热处理所述碳纳米管阵列形成石墨化的碳纳米管阵列；提供一阴极基底，在该阴极基底的表面形成导电粘结剂层；将所述石墨化的碳纳米管阵列的一端与所述导电粘结剂层接触，并固化所述导电粘结剂层，使该石墨化的碳纳米管阵列固定在所述阴极基底上。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。
申请人：清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
地址：100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容