专利名称：磁记录介质和磁存储装置专利类型：发明专利
发明人：福岛隆之,大桥荣久,张磊,村上雄二,柴田寿人,山口健
洋,神边哲也
申请号：CN201711430804.5申请日：20171226公开号：CN108305645A公开日：20180720
摘要：一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L1型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
申请人：昭和电工株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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