专利名称：栅控二极管非易失性存储器单元专利类型：发明专利
发明人：廖意瑛,蔡文哲,叶致锴申请号：CN200610164059.X申请日：20061206公开号：CN1979873A公开日：20070613
摘要：一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包括具有额外栅极端的二极管结构。示例性实施例包括独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元阵列的方法及其制造方法。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：韩宏
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