（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201410111779.4 （22）申请日 2014.03.24 （71）申请人 北京工业大学
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
（10）申请公布号 CN103887371A
（43）申请公布日 2014.06.25
（72）发明人 邓军;牛晓晨;杨立鹏
（74）专利代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 张慧
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种InP基面阵器件均匀刻蚀的工艺方法
（57）摘要
一种InP基面阵器件均匀刻蚀的工艺方
法，属于半导体光电子技术领域。本发明采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法，提出干-湿-干刻蚀工艺：先用ICP（干法）刻蚀到本征层，然后利用高选择性腐蚀液对本征层进行腐蚀（湿法），最后再用ICP刻蚀重掺杂层（干法）。本方法结合了干法刻蚀界面陡直和湿法腐蚀停止的特点；减少了ICP的使用，避免了大量副产物的堆积，减薄了掩膜用SiO
法律状态
法律状态公告日
2014-06-25 2014-06-25 2014-07-16 2014-07-16 2017-10-17
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
法律状态信息
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实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
一种InP基面阵器件均匀刻蚀的工艺方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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