专利名称：一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置专利类型：发明专利
发明人：江强,郭雪梅,周细应,毛秀娟,陈明,邵佳佳,杨秋杰申请号：CN201310036504.4申请日：20130130公开号：CN103132031A公开日：20130605
摘要：本发明涉及一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置，属于陷光结构氮化硅薄膜技术领域。一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗石英玻璃（1）；将石英玻璃与氮化硅靶材（3）上、下对应地固定在镀膜设备内，所述镀膜设备具有充气口与抽真空口；对所述镀膜设备进行抽真空直至其压强优于2.1×10Pa；对所述镀膜设备充入Ar气作为溅射气体；所述氮化硅靶材（3）与石英玻璃（1）之间设置永磁铁（2），磁场方向竖直向上。石英玻璃（1）下表面形成陷光结构的氮化硅薄膜。
申请人：上海工程技术大学
地址：200336 上海市长宁区仙霞路350号
国籍：CN
代理机构：上海伯瑞杰知识产权代理有限公司
代理人：周兵
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