专利名称：一种绝缘栅型MOS管专利类型：实用新型专利发明人：陈国斌
申请号：CN201821969248.9申请日：20181127公开号：CN209183554U公开日：20190730
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅型MOS管，包括管体，所述管体内腔的底部固定连接有导入层，所述导入层的顶部固定连接有衬底，所述衬底的顶部固定连接有外延层，所述外延层的顶部固定连接有传递层，所述外延层的内腔开设有导电沟道，所述导电沟道的顶部依次贯穿外延层和传递层并延伸至传递层的顶部。本实用新型通过导入层的设置，能够方便电流的导入，也方便其他硅体的导入，通过管体、导入层、衬底、外延层、传递层和导电沟道的配合使用，能够大大改善本MOS管的导电和绝缘情况，大大提高使用效率和导电效率，使击穿电压不会过高，且能够进行两端对调，方便人们的使用，且本MOS管的体积更小更省电，能够节约成本。
申请人：深圳市合科泰电子有限公司
地址：518000 广东省深圳市福田区新亚洲国利大厦四层N4C618
国籍：CN
代理机构：深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：赵文曲
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