如何提高refresh time
发布网友
发布时间：2022-04-20 09:21
共1个回答
热心网友
时间：2024-07-12 06:56
+++++++++++ 我也是P5K 我就是按照这个来做超频的 由于CPU 不一样 你在超外频时 要适当的改改
祝你成功
需要设置的选项：
Legacy Diskette A Disabled (禁用软驱)
第二步 使用键盘的左右方向键将光标移动至Advanced菜单。打开手动超频选项！
Ai Overclocking Manual (开启动手动超频模式)
CPU Ratio Control (CPU倍频设定)
FSB Frequency (CPU 外频设定)
注：intel conroe e6320 外频为266 ，倍频为7 ，主频则为 1862MHZ ，而我们将外频提高，倍频不变，当然主频也就变了。这也就是所谓的超频。
PCIE Frequency 为了保证超频后显卡的正常工作，我们必须要对显卡的工作状态进行相关的设置， PCIE Frequency 设置一般为100MHZ
DRAM Frequency （内存频率设定） 根据自己内存的体质进行设定
DRAM Command Rate (内存首命令延迟设定) 通常情况下 Auto 就好了，如果你的条子体质超强，那么开1T吧 ，这个选项如果设置成1T的话，跑测试软件出来的得分会比2T也高。
DRAM Timing Conterol （内存参数选项设定）注：平时就是Auto , 如果你要手动设置的话请选择Manual
注：新手建议就用AUTO吧，等以后水平提高了，再来学习内存小参吧，这些先项通常是越低越好，越低的话你跑测试软件的得分会更高。如SUPER-PI 之类的软件
接着来!!!!!
CAS# Latency: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第1个参数, 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为3或4的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
RAS# TO CAS$ Delay: 该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第2个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD、tRTC)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。
RAS# Precharge
该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第3个4。DRAM RAS# Precharge (也被描述为：tRP、Row Precharge Timing、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
RAS# Activate to precharge
该值就是该值就是“4-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数。 (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time) 这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（ tRAS ），它表示一个行地址从激活到复位的时间。tRAS 过长，会严重影响性能。减少 tRAS 可以使得被激活的行地址更快的复位，然而， tRAS 太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。简单来说，tRAS值越低越好，而提高tRAS值也提高内存的稳定性。在调整tRAS值的时候，需要顾及tCL值和tRCD值这个参数，这里有个公式可以供给大家参考。tRAS = tCL + tRCD + 2（举例，当tCL值设置为5、tRCD为5的时候，那么这时tRAS的最佳设定值为12）由于部分主板厂商并没有提供tras值全部数值，所以大家要尽量调低tras值的时候。不过一般只要是10以下的tRAS不论如何设置其性能和稳定性都不会有太大的变化，事实上从DDR起它早已经变得越来越不重要。
DRAM Write Recovery Time (tWR)
DRAM Write Recovery Time是“写恢复时间”， 该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。它对内存设置影响理论上应该是有一些的，但是对于高频内存来说这种程度会小很多，因此这个项目的延迟也是尽可能的设置得越低越好
DRAM TRFC (tRFC)
描述为RowRefresh Cycle Time（tRFC）,在Memset里叫做Refresh Cycle time 。这个设定代表在同一bank中刷新一个单独的行所需的时间。同时还是同一bank中两次刷新指令的间隔时间，这个数值内存厂商总是设置得相当大，可以说大得离谱了，SPD直接设定都是40到60左右，实际可稳定运行的值则在20到30附近。tRFC参数对性能，对延迟，对稳定性均无太大的影响。
DRAM TRRD (tRRD)
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，在Memset 中描述为Act. to Act.Delayed (tRRD) 。此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电时间。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。(tRRD) 参数对性能，对延迟影响较小，对稳定性影响一般。
Rank Write to Read Delay (tWTR)
Write to Read Delay (tWTR) 在Memset 中描述为：Write to Read Delayed(tWTR)表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR2内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。该参数对内存带宽和稳定性影响也很小
如图：
Read to Precharge Delay (tRTP)
内部读取到预充电命令延迟，Memset中叫做 Read to Precharge(tRTP)
再来!太长了,写得满久的!
DRAM Static Read Control (ASUS独家的内存加速技术)注：通常设定为自动，当内存频超得过高时最好使用“Disable”的禁用状态，避免出现不稳定或者无法开机的情况。
Transaction Booster (处理加速器) 注: Enable将提高内存的超频性与效能,选项有0与1 两个等级，实际上开启后也感觉不到什么提升。大家可以考虑AUTO就好
Clock over-Charging Mode 调整CPU 时钟频率的振幅, 通常的设定是 1000mv,800mv
CPU Spread Spectrum (CPU 扩展频谱) 注：超频时请设定为Disabled
PCIE Spread Spectrum (PCIE 扩展频谱) 注：超频时请设定为Disabled
CPU Voltage (CPU电压设定)注：可以通过此选项给CPU增加电压，当超不了的时候，再慢慢升高电压，不要来开始就猛加！
CPU Voltage Reference (CPU参考电压设定) 也就是让你设定的电压与实际电压更加接近近,相当于起到一个校准的作用。通常设置为 0.63x 与0.59x
CPU Voltage Damper (CPU Vcore 电压抑制)当开启时，可以让CPU Vcore电压稳流的作用,当满载的时候电压不至于下降，也就是减少电压的Vdroop
CPU PLL Voltage （CPU频率控制芯片电压设定）通常为1.7V，不过个人比较喜欢直接1.8V
DRAM Voltage (内存电压设定) 这个选项大家根据自己的内存电压来进行设置，当超内存的时候可以适当的增加。
FSB Termination Voltage (FSB前端总线电压设定)注：通过提高FSB总线电压有助于提升级高外频运行的稳定性
North Bridge Voltage (北桥核心电压设定) 注：这个先项比较重要，电压一定要管够哦，加压后北桥的发热量也会更前提高。 平常1.55V就差不多了。
North Bridge Voltage Reference (北桥参考电压设定) AUTO ,手动设定都可以，影响不是很大的。
South Bridge Voltage (南桥核心电压)
第三步：设定完成后我们进入“Advanced”选项的“CPU Configuration”子菜单。并选择CPU Configuration 进入，在这里我们看到的信息全部是有关CPU的，其中包括CPU目前运行频率、系统总线频率、CPU的缓存信息，除开修改倍频的CPU Ratio Control选项外，其它外部禁用
最后一点了!
第四步：禁用不需要的硬件，并且屏蔽不必要的开机设置，这样的做法将提高超频的成功率。回到Advanced 选项，选择Onboard Devices Configuration 选项进入。进入后，根据自己的需要，把不必要的选项关掉
