芯科普 | 一文了解Flash 和 eMMC、UFS的区别
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发布时间：2024-11-29 04:09
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时间：2024-12-01 20:51
Flash Memory，通常称作“闪存”，是一种结合了ROM和RAM优点的存储芯片，具备电子可擦除可编程（EEPROM）性能和快速读取数据的能力，确保数据在断电后不会丢失。主要类别包括Nor Flash、Nand Flash、eMMC、UFS。
Nor Flash在硬件原理上与Nand Flash不同，因其读写速度慢、成本高等特性，主要用于小容量、内容更新较少的场景，如PC主板BIOS、路由器系统存储等。近年来，随着5G、IoT、AMOLED和智能汽车等市场的快速扩展，Nor Flash的应用范围日益广泛。
Nand Flash根据存储单元内比特数的不同，分为SLC（单级单元）、MLC（多级单元）、TLC（*单元）和QLC（四级单元）。SLC单元存储1个比特，MLC存储2个比特，TLC存储3个比特，QLC存储4个比特。NAND Flash的存储单元中比特位越多，其读写性能越低，寿命越短，但成本更低。Nand Flash在写入性能、大容量成本控制方面优于Nor Flash。现今，手机和平板设备中的eMMC内部使用Nand Flash，PC中的固态硬盘也采用Nand Flash。
eMMC集成了Nand Flash和控制器，提供标准封装接口并管理闪存，简化存储器设计。eMMC在封装中结合控制器，减少电路板空间使用，提高设计便利性，而Nand Flash仅为存储设备，数据传输需通过主机端控制器操作。
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UFS是eMMC的进阶版，最新标准为UFS4.0，最大带宽可达23.2Gbps，读取速度高达4200MBps，写入速度高达2800MBps。目前，大多数5G手机采用UFS存储方案。
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