专利名称：适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样
品杆
专利类型：发明专利
发明人：彭勇,郑少川,张宏,张军伟,邓霞,朱柳,蒙萱,关超帅申请号：CN202011471198.3申请日：20201214公开号：CN112697818A公开日：20210423
摘要：本发明公开了一种适用于FIB技术制样的透射电子显微镜磁电原位样品杆，属于微纳米材料测量研究领域。包括样品杆杆头、样品杆杆身、手握柄，所述的样品杆杆身由同轴设置的前端细杆和后端粗杆组成，所述的样品杆杆头设有适用于FIB技术制样的载物台，载物台由固定底片和压盖组成。载物台底片两侧有通孔可以引线路通电。样品杆杆头上设置有微型电磁铁。本发明可以直接装载FIB专用微栅，应用于透射电子显微镜中在洛伦兹模式下直接原位观察磁性结构在水平磁场的作用下的磁结构磁相互作用机制和动态磁性调控机理。亦可以在透射电镜中其他模式下直接原位观察样品在水平磁场和通电状态下的微观结构变化。
申请人：兰州大学
地址：730000 甘肃省兰州市天水南路222号
国籍：CN
代理机构：杭州求是专利事务所有限公司
代理人：郑海峰
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