专利名称：基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置
及加工工艺
专利类型：发明专利
发明人：胡宁,徐静,杨军,郑小林,侯文生,廖彦剑,杨静,胡南申请号：CN201110395164.5申请日：20111202公开号：CN102517207A公开日：20120627
摘要：一种基于离散式侧壁微电极阵列的细胞电融合芯片装置，由细胞电融合芯片和流路控制层组成。细胞电融合芯片具有硅基底层，在硅基底层上有二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上有顶层低阻硅层，在顶层低阻硅层中有微通道，微通道以二氧化硅绝缘层为底，微通道的两侧相对为齿状侧壁微电极，在相邻的齿状侧壁微电极之间采用绝缘隔离结构隔离低阻硅与齿状侧壁微电极，被隔离的低阻硅的端面与齿状侧壁微电极的端面齐平，使微通道为光滑的通道。本芯片既保证了齿状微电极阵列在微通道内部形成非均匀电场，又形成光滑的直线型微通道侧壁，可避免传统的齿状微电极结构带来的细胞堵塞问题。
申请人：重庆大学
地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
国籍：CN
代理机构：重庆华科专利事务所
代理人：康海燕
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容