专利名称：形成介电结构的方法以及半导体结构专利类型：发明专利
发明人：陈奕伊,蔡方文,吴振诚,包天一,郑双铭,余振华申请号：CN200810005454.2申请日：20080204公开号：CN101241857A公开日：20080813
摘要：本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。第二孔隙度优选地小于第一孔隙度。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：彭久云
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