NaBiTi6O(14)电子陶瓷的制备与阻抗分析

第３９卷第１期　２０１７年１月　湖北大学学报（自然科学版）　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｈｕｂｅｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（Ｎａｔｕｒａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ）　Ｖ０１．３９　Ｎｏ．１　文章编号：１０００—２３７５（２０１７）０１—００３６—０５　ＮａＢｉＴｉ６　Ｏ１４电子陶瓷的制备与阻抗分析　陈勇１，２，张灿灿　，黄镇　一，卞梦云　，陈琪　，徐玲芳　，曹万强　（１．有机化工新材料湖北省协同创新中心，湖北武汉４３００６２；２．湖北大学物理与电子科学学院　铁电压电材料与器件湖北省重点实验室，湖北武汉４３００６２；　３．湖北大学材料科学与Ｔ程学院，湖北武汉４３００６２）　摘要：采用传统的同相反应法制备陶瓷样品，ＸＲＤ衍射分析测得样品的相组成，通过阻抗谱测试样品的阻抗ｚ　，利　用阻抗谱ＬＣＲ方法测试得出材料的介电常数ｓ　、介电损耗ｔａｎ６与温度和频率的关系；通过计算得　ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　的活化能　值．结果表明在９５０℃预烧、１　１００℃与１　１５０℃烧结下，介电损耗ｔａｎ６为１０　数量级；阻抗谱测试显示的两组样品的ｚ　图．实部的最大值都大于１０　Ｑ，由Ｚ　图计算所得的活化能均大于１　ｅＶ．结果显示，ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　是一种适合于高温高频的　介质材料．　关键词：ＮＢＴ；ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　；介电常数；介电损耗；活化能　中图分类号：ＴＭ２８；ＴＮ３０４．８２　文献标志码：Ａ　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００—２３７５．２０１７．Ｏ１．００７　Ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＮａＢｉＴｉ６　Ｏ　ｌ４　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｃｅｒａｍｉｃｓ　ａｎｄ　ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　ａｎａｌｙｓｉｓ　ＣＨＥＮ　Ｙｏｎｇ　一，ＺＨＡＮＧ　Ｃａｎｃａｎ　一，ＨＵＡＮＧ　Ｚｈｅｎ　，ＢＩＡＮ　Ｍｅｎｇｙｕｎ　一，　ＣＨＥＮ　Ｑｉ　一．ＸＵ　Ｌｉｎｇｆａｎｇ　一．ＣＡＯ　Ｗａｎｑｉａｎｇ　，　，　（１．Ｈｕｂｅｉ　Ｃｏｌｌａｂｏｒａｔｉｖｅ　Ｉｎｎｏｖａｔｉｏｎ　Ｃｅｎｔｅｒ　ｆｏｒ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｗｕｈａｎ　４３００６２，Ｃｈｉｎａ；　２．Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｏｆ　Ｆｅｎ－ｏ＆Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ｏｆ　Ｈｕｂｅｉ　Ｐｒｏｖｉｎｃｅ．　Ｆａｃｕｌｔｙ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ａｎｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｈｕｂｅｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｕｈａｎ　４３００６２，Ｃｈｉｎａ；　３．Ｆａｃｕｌｔｙ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈｕｂｅｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｕｈａｎ　４３００６２，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｗｅ　ｕｓｅｓ　ｔｈｅ　ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ　ｓｏｌｉｄ—ｓｔａｔｅ　ｒｅａｃｔｉｏｎ　ｍｅｔｈｏｄ　ｔｏ　ｐｒｅｐａｒｅ　ｔｈｅ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｓａｍｐｌｅｓ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔ　ｏｆ　ＸＲＤ　ｄｉｓｐｌａｙｓ　ｔｈｅ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓａｍｐｌｅ；ｔｈｅ　ｖａｌｕｅ　ｏｆ　ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　Ｚ　ｃａｎ　ｂｅ　ｇｏｔ　ｂｙ　ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｍｅａｓｕｒｅ；ｔｈｅ　ｃｈａｎｇｉｎｇ　ｃｕｒｖｅ　ｏｆ　ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ　ａｎｄ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｌｏｓｓ（ｔａｎ８）ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｈａｎｇｉｎｇ　ｕｎｄｅｒ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｃａｎ　ｂｅ　ｏｂｔａｉｎｅｄ　ｔｈｒｏｕｇｈ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ＬＣＲ　ｍｅａｓｕｒｅ　ｍｅｔｈｏｄｓ；ｔｈｅ　ｖａｌｕｅ　ｏｆ　ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ　ｅｎｅｒｇｙ　ｃａｎ　ｂｅ　ｇｏｔ　ｂｙ　ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔ　ｓｈｏｗｓ　ｔｈａｔ　ｉｎ　９５０　ｏＣ　ｃａｌｃｉｎｉｎｇ．１　１００℃ａｎｄ　１　１　５０　ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ．　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｌｏｓｓ（ｔａｎ８）ｉｓ　１０～ｏｒｄｅｒｓ　ｏｆ　ｍａｇｎｉｔｕｄｅ．Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｍｅａｓｕｒｅ　ｓｈｏｗｓ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ｔｗｏ　ｇｒｏｕｐｓ　ｏｆ　ｓａｍｐｌｅｓ　Ｚ　ｐｌｏｔｓ．ｔｈｅ　ｍａｘｉｍｕｍ　ｒｅａｌ　ｐａｒｔ　ｉｓ　ｍｏｒｅ　ｔｈａｎ　１０　Ｑ．ｔｈｅ　ｖａｌｕｅｓ　ｏｆ　ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ　ｅｎｅｒｇｙ　ａｒｅ　ｍｏｒｅ　ｔｈａｎ　１　ｅＶ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄ　ｂｙ　ｔｈｅ　Ｚ　ｐｌｏｔｓ．Ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｔｈｅ　ＮａＢｉＴｉ６　Ｏ１４　ｉｓ　ａ　ｋｉｎｄ　ｏｆ　ｓｕｉｔａｂｌｅ　ｆｏｒ　ｈｉｇｈ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｈｉｇｈ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ．　Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ＮＢＴ；ＮａＢｉＴｉ６　Ｏ　１４；ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ；ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｌｏｓｓｅｓ；ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ　ｅｎｅｒｇｙ　０　引言　铁电、压电材料是一种长期以来备受关注的信息功能材料．在电子信息、集成电路、计算机等多种领　收稿１３期：２０１６　０６—２７　基金项目：湖北省教育厅重点科研项目（Ｄ２０１６００６）资助　作者简介：陈勇（１９７７－），男，博士，副教授，Ｅ－ｍａｉｌ：ｃｈｅｎｙｏｎｇ＠ｈｕｂｕ．ｅｄｕ．ａｎ；曹万强，通信作者，教授，Ｅ．ｍａｉｌ　第ｌ期　陈勇，等：ＮａＢｉＴｉ　Ｏ。　电子陶瓷的制备与阻抗分析　３７　域都有广泛应用，是许多新型电子元器件的基础材料　１引．随着环保和可持续发展的要求．研发新型环境　友好的陶瓷电介质是大势所趋．同时，铁电、压电陶瓷在电子技术中的应用非常广泛，市场巨大．但是在　目前看来，含铅的铁电、压电陶瓷在市场中占有极其重要的统治地位．这种ＰＺＴ基材料给环境带来沉重　的负担，其含有毒的ＰｂＯ质量百分比通常在５０％以上，这对人体和环境造成很大的危害．因而．发展无　铅铁电陶瓷介质和压电陶瓷材料就成为了当前铁电陶瓷材料一项亟待解决的重要课题．ＮＢＴ（Ｎａｏ　Ｂｉ　一　ＴｉＯ　）基陶瓷材料是一种重要的无铅压电陶瓷材料，介电性能包括：介电常数较小、漏导低、低的介电损　耗（高频及低频下）和较高的电容温度稳定性等　．使其广泛应用于制备陶瓷电容器、探测器、ＰＴＣ热　敏电阻等，由于环境友好和介电性能良好，ＮＢＴ基陶瓷材料值得进一步的深入研究．ＮＢＴ是典型的钙钛　矿结构，其中钠离子和钛离子位于四面体顶点处，氧离子位于面心，钛离子位于体心．由于ＮＢＴ的正八　面体结构，导致自发双极子电矩的产生，这就使得晶体具有铁电性能．同时．铋离子和铅离子有相同的外　层电子结构。与氧离子结合容易形成非对称共价键，这个非对称的共价键有利于形成稳定的铁电性能．　虽然ＮＢＴ的铁电性能很好，高频特性也很优良，被认为是最有应用前景的无铅压电材料．但是其铋元素　的易挥发特性，使得在压电和电容的应用上有高漏导率¨８　．为了解决这个问题，我们研究了一种新型的　ＮＢＴ基陶瓷ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　，制备样品的相关的化学反应方程式为：１／２Ｎａ，ＣＯ　＋１／２Ｂｉ，Ｏ　＋６ＴｉＯ，一　ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　＋１／２Ｃ０，．ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　打破传统的ＮＢＴ材料化学配比的方式，减少其中铋的比例，在继承传统　ＮＢＴ的优点的同时，改善了漏导的问题¨１　“］．在性能方面，具有介电常数适中，介电损耗小，以及抗高温　的特性，这利于电子器件集成化的发展．ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　可以全面用于陶瓷电容器，特别是耐高温电容器，应　用于混合动力车或电动的车辆和微波陶瓷的电子控制系统［１２－１３１．这对ＮＢＴ基陶瓷的研究是一种探索性　的、创新性的研究，具有重要的研究意义和应用前景，为寻找性能更好的压电陶瓷材料开辟了新的途径．　１　实验过程及原料选择　实验中采用传统固相反应法，在不同烧结温度条件下制备　出ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　陶瓷样品．对ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　陶瓷的介电性能进行研　究，包括介电常数、介电损耗以及活化能．实验相关的化学反应　方程式为：１／２Ｎａ，ＣＯ　＋１／２Ｂｉ２　０３＋６ＴｉＯ２　ＮａＢｉＴｉ６　Ｏｌ４＋　１／２ＣＯ，，采用的化学试剂如表１所示，实验的基本的流程如　下图１所示．对预烧粉体用自动ｘ线衍射仪（Ｄ／ＭＡＸ３Ｃ型）　进行结构分析，烧结好陶瓷片用ＳＥＭ（ＪＳＭ６５１０ＬＶ型）分析　不同条件下制备的陶瓷片的表面形貌，对镀银后的样片，用　阻抗谱分析仪（Ｈｐ　４１９２　Ａ型）测量烧结温度为１　１００　ｑＣ和　１　１５０℃的样品的介电常数及介电损耗，并计算其活化能，运　用ＺＶｉｅｗ进行数据处理得到阻抗图谱．　表１　实验中选取的试剂及纯度　名称　分子式分子量／（ｇ／ｍｏ１）规格　百分含量／％　状态　２测试结果分析与讨论　２．１　ｘＩ　测试分析　实验采用Ｘ射线衍射仪分析陶瓷样品　图　实验流程图　的结构和物相组成，得到ＸＲＤ图谱，Ｃｕ作为发射源，扫描速率为　＝８￣／ｍｉｎ，扫描范围是０。～９０。．图２显　示的是预烧粉体在９５０℃下预烧４　ｈ，成型的样品在１　１００℃和在１　１５０℃下烧结的Ｘ线衍射谱．对比标准　卡，表明预烧粉体和烧结后的样品都是单相，峰都是属于ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　，最强峰在３０．０～３０．５℃之间．　３８　湖北大学学报（自然科学版）　第３９卷　２．２介电常数分析陶瓷材料的介电常数是表示在电场的作　用下．电介质的电位移随电场强度改变的常数，体现材料的介　电性能，通常用　来表示．不同用途的陶瓷材料要求的介电常　数差异很大，因而介电常数不是判断材料介电性能好坏的标　尺．比如，介电常数较大的材料可应用于扬声器等器件；介电常　数较小的材料可应用在高频元器件方面．总的来说，无论介电　常数大小都可适用于不同场合．研究介电响应及其在各种条件　下的变化，可以得到关于铁电体结构、缺陷和相变的重要信息．　本文中的介电常数是指相对介电常数（　），相对介电常数　受到陶瓷元件的电容Ｃ（单位：Ｆ），电极面积ｓ（单位：ｉｎ　）和电　极间距ｄ（陶瓷厚度，单位：ｍ）的影响，　为常数，函数关系式为：　ｏ￣ｒ　—　。　Ｃ　：．２ａ／（。）　图２　ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　粉体预烧和烧结后　的ＸＲＤ图　４　＂ｒｒｋｄＵ　（１）　本实验中采用Ｈｐ４１９２Ａ阻抗分析仪测试样品在不同的烧结温度和频率下，介电常数与温度的关　系，如下图３和图４所示．由图３可以看出，从１０　ｃ【二到５０　Ｇ（＝，随着温度的上升，介电常数　急剧降低，继　续升温，介电常数　，有细微的上升趋势，直到３２３　（居里点）左右，停止上升，到４５０　前，介电常数　缓慢下降，４５０℃以后，介电常数ｓ　急剧上升，且随着频率的增加，　，逐渐降低．如图４所示，从１０℃到　３３４　ｑＣ（居里点）。不同频率下，介电常数　大小和上升趋势均一致，保持缓慢上升状态．大约３３４　ｏＣ（居　里点）以后，不同频率下的曲线出现分歧点，频率越大，介电常数越小．且随着温度的上升，介电常数逐　渐减小，在７００～８００℃逐渐趋于平稳．对比两个图分析得出，烧结温度从１　１００℃上升到１　１５０℃，居里　温度就从３２３℃上升到３３４　ｏＣ．且对于两种不同的烧结温度，相同温度情况下，频率越大，介电常数越　小．同时，１　１５０℃烧结温度条件下的样品的介电常数大于１　１００℃烧结温度条件下的介电常数．　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／＊Ｃ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／￣Ｃ　图３烧结温度为１　１００　ｏＣ，ＮａＢｉＴｉ　Ｏ。　的介电常数　图４烧结温度为１　１５０℃，ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　的介电常数　２．３介电损耗分析一介电损耗即在电压作用下所引起的能量损耗，是材料的介电性能的判断标准之　，其值越小，材料的性能就越好，一般用正切值ｔａｎ３柬表示．在压电陶瓷中，影响ｔａｎ６的因素主要有下　面几个方面：（ａ）陶瓷内的极化速度跟不上材料上所施加的电压变化，造成滞后，就会导致介电损耗：　（ｂ）材料内有一定的电导因而存在漏电流；（Ｃ）工艺原因导致材料构架不均匀＿Ｊ　．　图５、图６是分别在烧结温度为１　１００℃和１　１５０　条件下介电损耗ｔａｎ６随温度变化的情况．当烧　结温度为１　１００　ｏＣ时，在２５℃以前，介电损耗ｔａｎ６有一段急剧减小的区间，随后趋于平稳．３３５　ｏＣ以上。　不同频率下的介电损耗ｔａｎ６急剧上升．当烧结温度为１　１５０℃时，在低于３３５℃温度的情况下，不同频　率下的介电损耗ｔａｎ６的正切值几乎保持稳定．３３５℃以上，不同频率下的介电损耗ｔａｎ６的正切值急剧上　升．综合来看，介电损耗ｔａｎ６在２５℃到３３５　之间，几乎是稳定不变的，达到３３５　及以后，介电损耗急　速增大．且随着频率的增大，在相同温度情况下介电损耗ｔａｎ６及其正切值越小．　２．４活化能计算ＮａＢｉＴｉ　Ｏ．　陶瓷的活化能可以通过ｚ　图用Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ公式模拟计算出来，活化能的　大小可以表征材料导电性能，一般情况下，活化能大于０．５　ｅＶ为电介质，小于０．５　ｅｖ为导体｜１　．通过阻　第１期　陈勇，等：ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　电子陶瓷的制备与阻抗分析　３９　抗分析仪中的图像，可以计算出电容，电阻，电导率，具体公式如下：　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／＊Ｃ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ／＇Ｃ　图５烧结温度为１　１００￣Ｃ，ＮａＢｉＴｉ　０。　的介电损耗　图６烧结温度为１　１５０￣Ｃ，ＮａＢｉＴｉ　０　的介电损耗　Ｒ：　：　＆ＪＣ　１Ｔ，　（２）　１　（３）　ｌｏｇ　。ｇ　（４）　Ｅａ＝０．１９８　４２・Ｉ　ｋ　（５）　其中，ｌｋｌ表示阿仑尼乌斯图中的斜率．　阻抗谱分析是用来解释电子陶瓷晶粒与晶界、电极对　陶瓷电学性能影响的一种分析方法，通过等效电路的形式　来模拟陶瓷晶粒晶界的电容和电阻，如图７、图８所示，样品　通过阻抗谱分析仪，得到了两组组分的近似电阻，为我们进　一步研究陶瓷的性质提供了方便．从图７、图８可以看出，两　组样品的阻值随着温度的增加变小，但都超过了１０　Ｑ，通　过以上公式的计算，可得出活化能与温度的关系，如图９所　示．ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　的活化能计算结果为：烧结温度为１　１００℃　的样品的活化能为１．０３７　ｅＶ，烧结温度为１　１５０℃的样品　活化能为１．５５　ｅＶ．这个结果表明，活化能随烧结温度上升　而上升．我们推测其原因可能与晶粒尺寸、气孔大小、晶界　分布等随烧结温度改变有关，这些微观变化会增加势垒高　图７烧结温度为¨ｏ０℃时样品的阻抗图　度，从而使活化能改变．同时，这些都表明该材料电阻很大，是良好的电介质材料．　Ｚ　（×１０　）　（×１０　Ｋ）　图８烧结温度为１　１５０℃时样品的阻抗图　图９活化能与温度的关系图　湖北大学学报（自然科学版）　第３９卷　３　结论　本文中采用传统固相烧结法，对ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　无铅压电陶瓷进行了样品制备以及阻抗分析．运用ｘ线　衍射分析了其相图；运用阻抗谱分析仪测得数据，运用ＳＡＩ得到介电常数（　）以及介电损耗（ｔａｎ３），并　通过计算活化能来表征其导电能力．主要得到以下结论：　１）ＮａＢｉＴｉ　Ｏ　的电学和介电性能已经在很大的温度范围内以及频率范围内用阻抗谱测试了，并表　现出一定的高温高频稳定性．当烧结温度为１１５０￣Ｃ时，在３３５　ｏＣ以下，相对介电常数（　）随着温度的升　高而升高，并在３３５℃的时候达到最大值１９２．随着温度的继续升高，相对介电常数数值下降．温度相同　时，频率越大，介电常数越小．　２）介电损耗ｔａｎ６在２５～３３５　ｏＣ之间，几乎是稳定不变的，达到３３５￣Ｃ及以后，介电损耗急速增大．　且随着频率的增大，在相同温度情况下介电损耗ｔａｎ６及其正切值越小．ＮａＢｉＴｉ　Ｏ。　陶瓷的介电损耗很　低，同时也表现出高温高频稳定性．ＮａＢｉＴｉ　Ｏ，　的活化能较大，是介质陶瓷．其优良的介电性能对ＮＢＴ基　无铅压电陶瓷材料的开发与研究做出了新的贡献．　４参考文献　［１］Ｌｉ　Ｍ，Ｐｉｅｔｒｏｗｓｋｉ　Ｍ　Ｊ，Ｓｏｕｚａ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｆａｍｉｌｙ　ｏｆ　ｏｘｉｄｅ　ｉｏｎ　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ　Ｎａ０　５　Ｂｉ０　５　ＴｉＯ３　［Ｊ］．Ｎａｔｕｒｅ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２０１４，１３（１）：３１—３５．　［２］Ｃｈｅｎ　Ｙ，Ｚｈａｎｇ　Ｓ，Ｌｉ　Ｚ，ｅｔ　ａ１．Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ａｃｒｏｓｓ　ｇｒａｉｎ　ｂｏｕｎｄａｒｉｅｓ　ｉｎ　ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｗｕｈａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ—Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｅｄｉｔｉｏｎ，２０１６，３１（１）：８７－９２．　［３］Ｈａｅｒｔｌｉｎｇ　Ｇ　Ｈ．Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｅｒａｍｉｃｓ：ｈｉｓｔｏｒｙ　ａｎｄ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９９，８２（４）：　７９７—８１８．　［４］Ｖｉｊａｔｏｖｉ　Ｍ　Ｍ，Ｂｏｂｉ　Ｊ　Ｄ，Ｓｔｏｊａｎｏｖｉ　Ｂ　Ｄ．Ｈｉｓｔｏｒｙ　ａｎｄ　ｃｈａｌｌｅｎｇｅｓ　ｏｆ　ｂａｒｉｕｍ　ｔｉｔａｎａｔｅ：ｐａｒｔ　ＩＩ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ，２００８，４０：　２３５—２４４．　［５］Ｃｈｅｎ　Ｙ，Ｇｏｎｇ　Ｓ　Ｐ，Ｆｕ　Ｑ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｓｔｕｄｙ　ＯＨ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｓｕｂｍｉｃｒｏｎ　ｎｉｃｋｅｌ　ｐｏｗｄｅｒ　ｆｏｒ　ｍｕｈｉｌａｙｅｒ　ｃｈｉＤ　ｐｏｓｉｔｉｖｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｏｅｆｉｃｉｆｅｎｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ［Ｊ］．Ｃｈｉｎｅｓｅ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｂ，２０１０，１９（１１）：５７１—５７５．　［６］Ｄｅａｎ　Ｊ　Ｓ，Ｈａｒｄｉｎｇ　Ｊ　Ｈ，Ｓｉｎｃｌａｉｒ　Ｄ　Ｃ．　Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｉｍｐｅｄａｎｃｅ　ｓｐｅｃｔｒａ　ｆｏｒ　ａ　ｆｕｌｌ　ｔｈｒｅｅ—ｄｉｍｅｎｓｉ０ｎａｌ　ｃｅｒａｍｉｃ　ｍｉｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｕｓｉｎｇ　ａ　ｉｆｎｉｔｅ　ｅｌｅｍｅｎｔ　ｍｏｄｅｌ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１３，９７（５）：１—７．　［７］曹万强，刘培朝，陈勇，等．铁电体中偶极子的滞后对剩余极化的影响［Ｊ］．物理学报，２０１６，６５（１３）：１３７７０１．１３７７０１．　［８］Ｌｉ　Ｍ，Ｓｉｎｃｌａｉｒ　Ｄ　Ｃ．Ｔｈｅ　ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ　ｏｒｉｇｉｎｓ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｐｅｒｎｌｉｔｔｉｖｉｔｙ　ａｎｄ　ｉｔｓ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｉｎ　Ｙ０　５　Ｃａｏ　５　ＭｎＯ３　ａｎｄ　Ｌａ１　５Ｓｒ０　５ＮｉＯ４ｃｅｒａｍｉｃｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＡｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，２０１２，１１１（５）：０５４１０６—０５４１０６—８．　［９］Ｚｅｂ，Ｍｉｌｎｅ　Ｓ　Ｊ．Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｈｉｇｈ—ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｆｏｒ（１一　）Ｂａ㈣Ｃａ　ＴｉＯ３－ｘＢｉ（Ｍｇ０　５　Ｔｉ０　５）０３　ｃｅｒａｍｉｃｓ　［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１３，９６（９）：２８８７－２８９２．　［１０］Ｍｉｒａｎｄａ　Ｌ，Ｂｏｕｌａｈｙａ　Ｋ，Ｈｅｒｎａｎｄｏ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ—ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ—ｐｒｏｐｅｒｔｙ　ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐｓ　ｏｆ６Ｈ—ＢａＴｉｌＣｏ　Ｏ３　（０．１≤＿ｙ≤　０．４）［Ｊ］．Ｃｈｅｍｉｓｔｙ　ｒｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０１１，４２（１６）：１０５０　１０５９．　［１　１］¨Ｌ，Ｇｕｏ　Ｄ，Ｘｉａ　Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ａｎ　ｕｌｔｒａ—ｂｒｏａｄ　ｗｏｒｋｉｎｇ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｏｆ　ＢａＴｉＯ　一ｂａｓｅｄ　ｃｅｒａｍｉｃｓ　ｗｉｔｈ　Ｎｄ，Ｏ　ａｄｄｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１２，９５（７）：２１０７　２１０９．　［１２］Ｃｈｅｎ　Ｙ，Ｇｏｎｇ　Ｓ，Ｚｈａｎｇ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｅ　ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｉｆｎｅ—ｇｒａｉｎｅｄ　ｐｏｓｉｔｉｖｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｃｏｅｆｉｃｆｉｅｎｔ　ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　ｗｉｔｈ　ｓｕｐｅｒｉ０ｒ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｔｒｉｅｓ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１３，１０３（３）：１０６—１１０．　［１　３］Ｈｕａｎｇ　Ｈ，Ｃｈｅｎ　Ｙ，Ｌｉ　Ｚ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｅ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅｓ　ｏｆ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ　ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ｏｎ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｍｕｌｔｉｌａｖｅｒ　ＰＴＣＲ　ｃｈｉｐ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｗｕｈａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ－Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｅｄｉｔｉｏｎ，２０１５，３０（４）：６７４—６７８．　［１４］Ｃａｏ　Ｗ　Ｑ，Ｓｈａｎｇ　Ｘ　Ｚ．Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　ｂｉｎａｒｙ—ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｉｎ　ｒｅｌａｘｏｒｓ［Ｊ］．Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１５，４２　（４—６）：１３２—１３８．　［１５］屈少华，曹万强．球形无规键无规场模型研究弛豫铁电体极化效应［Ｊ］．物理学报，２０１４（４）：３０５—３１０．　（责任编辑郭定和）