专利名称：一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法专利类型：发明专利
发明人：陈达明,陈奕峰,王尧,刘成法,何宇,邹杨,夏锐,林文杰,
袁玲,龚剑
申请号：CN201910473109.X申请日：20190531公开号：CN112103368A公开日：20201218
摘要：本发明公开了一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，包括以下步骤：在硅片衬底的表面生长一层氧化硅层；在氧化硅层上沉积多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜为原位掺杂的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜，若为本征多晶硅薄膜时，在本征多晶硅薄膜上引入掺杂源；采用激光辐照多晶硅薄膜。对于原位掺杂的多晶硅薄膜，采用激光辐照多晶硅薄膜，以激活掺杂原子。若对于需外部引入掺杂源的多晶硅薄膜，采用激光辐照，将掺杂剂推入多晶硅薄膜以实现掺杂。本发明可以实现多晶硅薄膜掺杂的低温化，本发明可以实现多晶硅薄膜的局域掺杂。
申请人：天合光能股份有限公司
地址：213022 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
国籍：CN
代理机构：浙江永鼎律师事务所
代理人：郭小丽
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