专利名称：高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法专利类型：发明专利
发明人：孙凌,智晓愿,时延,刘正超,黄庆丰申请号：CN200910199436.7申请日：20091126公开号：CN101740377A公开日：20100616
摘要：本发明的高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法包括以下步骤：采用高密度等离子体化学气相淀积法淀积氧化膜填充高深宽比间隙；在上述氧化膜上淀积掺杂氧化物。本发明的高深宽比间隙掺杂层间介质的填充方法改善了掺杂层间介质填充高深宽比间隙的工艺，提高了半导体器件的性能。
申请人：上海宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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