专利名称：导电框架及功率半导体串联结构专利类型：实用新型专利发明人：陈文彬,罗小春申请号：CN201721845020.4申请日：20171225公开号：CN207800600U公开日：20180831
摘要：本实用新型提供一种导电框架及功率半导体串联结构，所述导电框架包括相互绝缘间隔排列的第一导电框架、第二导电框架和第三导电框架，所述第二导电框架包括第二芯片区、由所述第二芯片区延伸出的第二引脚以及第一固线区，所述第一固线区位于所述第二芯片区背离所述第二引脚的一侧，所述第二芯片区与所述第一固线区之间具有凹陷结构，所述凹陷结构能够容纳所述第二芯片区及/或所述第一固线区焊接作业时多余的焊料。本实用新型利用焊接芯片区域的一端作为固线区域，节省空间，有效增加了该导电框架可焊接芯片的面积，同时，设计出位于焊接芯片区域和固线区域之间的凹陷结构，使得焊接作业和固线作业互不影响，保证了焊接能力和固线能力的可靠性。
申请人：深圳市矽莱克半导体有限公司
地址：518048 广东省深圳市福田区福保街道石厦北三街东南方国际广场A栋611
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：石佩
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