专利名称：晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法专利类型：发明专利发明人：游岱恒,李志岳申请号：CN200810131951.7申请日：20080702公开号：CN101620985A公开日：20100106
摘要：一种晶边蚀刻设备及其相关的晶片平坦化方法。本发明的晶边蚀刻设备包含有晶片防护掩模，且晶片防护掩模覆盖晶片的部分表面。晶片上定义有中央区域与环绕该中央区域的晶边区域。前述晶片防护掩模包含有中央遮蔽区以及至少一晶边遮蔽区。中央遮蔽区全面覆盖晶片的中央区域，而晶边遮蔽区从中央遮蔽区的外缘向外延伸而出，覆盖晶片的部分晶边区域，并且暴露出晶边区域的其余部分。
申请人：联华电子股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：彭久云
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