10.Ammoniumfluoride氟化铵? 11.Ammoniumhydroxide氢氧化铵
12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）? 13.Analog：模拟的? 14.Angstrom?
15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH?
16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） 17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） 18.Antimony(Sb)锑?
22.Arsine
24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）? 25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）? 28.Benchmark：基准? 30.Boat：扩散用（石英）舟? 32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。? 36.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。?
39.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。?
40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。? 41.Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。? 42.Conductivitytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。? 43.Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。 44.Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。 45.Correlation：相关性。
46.Cp：工艺能力，详见processcapability。
47.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindex。? 48.Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。 49.Damage：损伤。
50.Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。? 51.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）?
52.Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。?53.Depletionwidth：耗尽宽度。? 55.Depthoffocus（DOF）：焦深。?
56.designofexperiments(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。?
58.developer：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液? 59.diborane(B2H6)：乙硼烷，
60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。?
61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。?62.die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。?
63.dielectric：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；
64.diffusedlayer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。? 65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。? 66.drive-in?
68.effectivelayerthickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。?
69.EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。? 70.epitaxiallayer：外延层。?
75.featuresize：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。? 76.field-effecttransistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端。? 78.flat：平边?
79.flatbandcapacitanse：平带电容? 80.flatbandvoltage：平带电压? 81.flowcoefficicent：流动系数? 82.flowvelocity：流速计? 83.flowvolume：流量计?
84.flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数?
85.forbiddenenergygap：禁带? 86.four-pointprobe：四点探针台? 87.functionalarea：功能区?
89.glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度 90.gowning：净化服? 91.grayarea：灰区?
92.grazingincidenceinterferometer：切线入射干涉仪? 93.hardbake：后烘?
94.heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法? 95.high-currentimplanter：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产?
96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒? 97.host：主机?
98.hotcarriers：热载流子? 99.hydrophilic：亲水性? 100.hydrophobic：疏水性? 101.impurity：杂质?.掺杂
102.inductivecoupledplasma(ICP)：感应等离子体? 103.inertgas：惰性气体? 104.initialoxide：一氧? 105.insulator：绝缘?
106.isolatedline：隔离线? 109.junction:结?
110.junctionspikingn:铝穿刺? 111.kerf:划片槽? 113.lithographyn制版?
114.maintainability,equipment:设备产能 116.majoritycarriern:多数载流子? 117.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版? 118.materialn:原料? 119.matrixn1:矩阵? 120.meann:平均值? 122.mediann:中间值? 123.memoryn:记忆体 125.nanometer(nm)n：纳米? 126.nanosecond(ns)n：纳秒? 127.nitrideetchn：氮化物刻蚀?
130.ohmspersquaren：欧姆每平方:方块电阻? 131.orientationn：晶向，一组晶列所指的方向? 132.overlapn：交迭区?
134.phosphorus(P)n：磷，一种有毒的非金属元素? 135.photomaskn：光刻版，用于光刻的版? 136.photomask,negativen：反刻?
137.images：去掉图形区域的版? 138.photomask,positiven：正刻?
139.pilotn：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子? 142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺? 143.pnjunctionn：pn结?
144.pockedbeadn：麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠?
145.polarizationn：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语? 146.polyciden：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构? 147.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。 148.polymorphismn：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象?
149.probern:探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。?
150.processcontroln:过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。? 151.proximityX-rayn:近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。 152.purewatern:纯水。半导体生产中所用之水。
153.quantumdevicen:量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。? 154.quartzcarriern:石英舟。
155.randomaccessmemory(RAM)n:随机存储器。 156.randomlogicdevicen:随机逻辑器件。
157.rapidthermalprocessing(RTP)n:快速热处理(RTP)。?? 159.reactorn:反应腔。反应进行的密封隔离腔。?
162.scanningelectronmicroscope(SEM)n:电子显微镜(SEM)。? 163.scheduleddowntimen:(设备)预定停工时间。? 164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二极管。? 165.scribelinen:划片槽。?
166.sacrificialetchbackn:牺牲腐蚀。
168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄层电阻。用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。?
169.sideload:边缘载荷，被弯曲后产生的应力。?
170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片? 171.smallscaleintegration(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。? 172.sourcecode:原代码
173.spectralline:光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。?
174.spinwebbing:旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。? 176.stackingfault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。? 177.steambath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。? 178.stepresponsetime:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。? 179.stepper:步进光刻机（按BLOCK来曝光）?
180.stresstest:应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。? 181.surfaceprofile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。?182.symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。 183.tackweld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。?
184.Taylortray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185.temperaturecycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。? 186.testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。 187.thermaldeposition:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。?
189.titanium(Ti):钛。?
190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。?
191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。? 193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。?
194.tinning:金属性表面覆盖焊点的薄层。?
195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。 196.watt(W):瓦。能量单位。?
197.waferflat:从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。?
203.window:在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。?
205.vaporpressure:当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。 207.transitionmetals:过渡金属? PAC感光化合物?
ASIC特殊应用集成电路? Solvent溶剂? Carbide碳? Refractive折射? Expansion膨胀?
TM:topmental顶层金属层? WEE周边曝光?
POD装晶舟和晶片的盒子? Reticle光罩? Spin旋转? A/D[军]Analog.Digital,模拟/数字? ACMagnitude交流幅度? ACPhase交流相位? Accuracy精度? \"ActivityModel?
ActivityModel\"活动模型? AdditiveProcess加成工艺? Adhesion附着力? Aggressor干扰源? AnalogSource模拟源?
AOI,AutomatedOpticalInspection自动光学检查?
AssemblyVariant不同的装配版本输出? Attributes属性?
AXI,AutomatedX-rayInspection自动X光检查? BIST,Built-inSelfTest内建的自测试? BusRoute总线布线? Circuit电路基准? circuitdiagram电路图? Clementine专用共形开线设计? ClusterPlacement簇布局? CM合约制造商?
CommonImpedance共模阻抗? Concurrent并行设计? ConstantSource恒压源? CooperPour智能覆铜? Crosstalk串扰
CVT,ComponentVerificationandTracking元件确认与跟踪? DCMagnitude直流幅度? Delays延时?
DesignforTesting可测试性设计? Designator标识?
DFC,DesignforCost面向成本的设计?
DFM,DesignforManufacturing面向制造过程的设计?
DFR,DesignforReliability面向可靠性的设计? DFT,DesignforTest面向测试的设计?
DFX,DesignforX面向产品的整个生命周期或某个环节的设计? DSM,DynamicSetupManagement动态设定管理? DynamicRoute动态布线?
EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat电子设计交互格式?
EIA,ElectronicIndustriesAssociation电子工业协会? ElectroDynamicCheck动态电性能分析? ElectromagneticDisturbance电磁干扰? ElectromagneticNoise电磁噪声
EMC,ElctromagneticCompatibilt电磁兼容? EMI,ElectromagneticInterference电磁干扰? Emulation硬件仿真?
EngineeringChangeOrder原理图与PCB版图的自动对应修改? Ensemble多层平面电磁场仿真 ESD静电释放? FallTime下降时间? FalseClocking假时钟? FEP氟化乙丙烯?
FFT,FastFourierTransform快速傅里叶变换? FloatLicense网络浮动?
FrequencyDomain频域? GaussianDistribution高斯分布? Globalflducial板基准? GroundBounce地弹反射?
GUI,GraphicalUserInterface图形用户界面? Harmonica射频微波电路仿真? HFSS三维高频结构电磁场仿真?
IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型? ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE项目里就是指制作PCB? IEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers国际电气和电子工程师协会 IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三维立体几何模型和工程描述的标准? ImageFiducial电路基准 Impedance阻抗?! In-Circuit-Test在线测试? InitialVoltage初始电压? InputRiseTime输入跃升时间?
IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封装与互连协会? IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互过程优化?
ISO,TheInternationalStandardsOrganization国际标准化组织?
Jumper跳线?
LinearDesignSuit线性设计软件包? LocalFiducial个别基准 manufacturing制造业?
MCMs,Multi-ChipModules多芯片组件? MDE,MaxwellDesignEnvironment? NonlinearDesignSuit非线性设计软件包? ODB++OpenDataBase公开数据库? OEM原设备制造商?
OLEAutomation目标连接与嵌入? On-lineDRC在线设计规则检查? Optimetrics优化和参数扫描 Overshoot过冲? Panelfiducial板基准?
PCBPCBoardLayoutTools电路板布局布线? PCB,PrintedCircuitBoard印制电路板? Period周期?
PeriodicPulseSource周期脉冲源? PhysicalDesignReuse物理设计可重复 PI,PowerIntegrity电源完整性? Piece-Wise-linearSource分段线性源? Preview输出预览? PulseWidth脉冲宽度? PulsedVoltage脉冲电压 QuiescentLine静态线
RadialArrayPlacement极坐标方式的元件布局? Reflection反射? Reuse实现设计重用? RiseTime上升时间? Rnging振荡,信号的振铃? Rounding环绕振荡? RulesDriven规则驱动设计 SaxBasicEngine设计系统中嵌入 SDE,SerenadeDesignEnvironment?
SDT,SchematicDesignTools电路原理设计工具 SettlingTime建立时间?
ShapeBase以外形为基础的无网格布线? Shove元器件的推挤布局? SI,SignalIntegrity信号完整性? Simulation软件仿真 Sketch草图法布线? Skew偏移? SlewRate斜率?
SPC,StaticticalProcessControl统计过程控制?
SPI,Signal-PowerIntegrity将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具?
SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成电路模拟的仿真程序?Split/MixedLayer多电源/地线的自动分隔?
SSO同步交换?
STEP,StandardfortheExchangeofProductModelData? Symphony系统仿真? Timedomain时域?
TimestepSetting步进时间设置?
UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述语言? Undershoot下冲
UniformDistribution均匀分布? Variant派生?
VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架联盟? Victim被干扰对象?
VirtualSystemPrototype虚拟系统原型
VST,VerficationandSimulationTools验证和仿真工具? Wizard智能建库工具,向导?
2.专业术语?
术语英文意义中文解释?
LCDLiquidCrystalDisplay液晶显示? LCMLiquidCrystalModule液晶模块? TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转90度? STNSuperTwistedNematic超级扭曲向列。约180～270度扭曲向列?
FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN，用于单色显示? TFTThinFilmTransistor薄膜晶体管? Backlight-背光 Inverter-逆变器?
OSDOnScreenDisplay在屏上显示?
DVIDigitalVisualInterface（VGA）数字接口? TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnaling? LVDSLowVoltageDifferentialSignaling低压差分信号 Panelink-?
TCPTapeCarrierPackage柔性线路板?
COBChipOnBoard通过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上? COFChipOnFPC将IC固定于柔性线路板上 COGChipOnGlass将芯偏固定于玻璃上?
Duty-占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率?
ELElextroLuminescence电致发光。EL层由高分子量薄片构成?
CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷阴极荧光灯?
PDPPlasmaDisplayPanel等离子显示屏 CRTCathodeRadialTude阴极射线管? VGAVideoGraphicAnay视频图形陈列? PCBPrintedCircuitBoard印刷电路板 Compositevideo-复合视频? componentvideo-分量视频?
S-video-S端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输? NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全国电视系统委员会制式? PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）
SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（顺序与存储彩色电视系统）?
VideoOnDemand视频点播? DPIDotPerInch点每英寸? 3.A.M.U原子质量数?
4.ADIAfterdevelopinspection显影后检视 6.Alignment排成一直线，对平
7.Alloy融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值? 8.ARC：anti-reflectcoating防反射层? 10.ASI光阻去除后检查?
13.Beam-Current电子束电流?
15.Break中断，stepper机台内中途停止键? 20.Childlot子批? 21.Chip(die)晶粒?
23.Coater光阻覆盖（机台）? 25.ContactHole接触窗? 26.ControlWafer控片? 27.Criticallayer重要层 29.Cycletime生产周期? 32.Descum预处理? 35.DG:dualgate双门? 38.Doping掺杂? 39.Dose剂量? 40.Downgrade降级?
41.DRC:designrulecheck设计规则检查?
48.ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤?
53.FIB:focusedionbeam聚焦离子束? 55.Flatness平坦度? 57.Foundry代工 58.FSG:含有氟的硅玻璃? 59.Furnace炉管?
60.GOIgateoxideintegrity门氧化层完整性?
61.Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称 62.HCI:hotcarrierinjection热载流子注入? 63.HDP：highdensityplasma高密度等离子体? 65.Hotbake烘烤? 66.ID辨认，鉴定?
69.LDD:lightlydopeddrain轻掺杂漏
70.Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污? 71.LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化 72.Loop巡路? 74.Mask(reticle)光罩? 75.Merge合并
76.MetalVia金属接触窗? 78.Mid-Current中电流 80.NIT:Si3N4氮化硅? 81.Non-critical非重要?
82.NP:n-dopedplus(N+)N型重掺杂? 83.NW:n-dopedwellN阱?
84.OD:oxidedefinition定义氧化层? 85.OM:opticmicroscope光学显微镜? 89.Overflow溢出?
90.Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度? 91.OX:SiO2二氧化硅? 93.P1:poly多晶硅? 94.PA;passivation钝化层? 95.Parentlot母批 98.PH:photo黄光或微影? 99.Pi-lot实验的
103.PORProcessofrecord?
104.PP:p-dopedplus(P+)P型重掺杂? 107.PW:p-dopedwellP阱 108.Queuetime等待时间?) 109.R/C:runcard运作卡? 113.Reticle光罩? 115.RM:remove.消除? 119.SA:salicide硅化金属?
120.SAB:salicideblock硅化金属阻止区 121.SAC:sacrificelayer牺牲层? 126.Source-Head离子源? 128.Spin旋转?
131.SRO:Sirichoxide富氧硅? 132.Stocker仓储?
135.TEOS–(CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD/PECVD生长SiO2的原料。又指用TEOS生长得到的SiO2层。? 138.TM:topmetal顶层金属层? 139.TORToolofrecord 141.USG:undoped硅玻璃
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