专利名称：场效应晶体管及制作方法专利类型：发明专利发明人：裴晓延
申请号：CN201811019944.8申请日：20180903公开号：CN110875372A公开日：20200310
摘要：本申请实施例提供的场效应晶体管及制作方法，涉及半导体及其制作技术领域，其中，场效应晶体管从下至上依次为漏极、衬底、漂移层、同层设置的电流阻挡层及电流孔径、半导体层、源极和栅极。通过在电流孔径上设置插入层，使插入层与半导体层形成阻止电子从源极通过电流孔径流向漏极的势垒，从而减少CAVET器件在反向偏置条件下通过第三条漏电路径的漏电，提升CAVET器件的性能。
申请人：苏州捷芯威半导体有限公司
地址：215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室
国籍：CN
代理机构：北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：徐丽
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