一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201711050770.7 （22）申请日 2017.10.31

（71）申请人 天津中环领先材料技术有限公司

地址 300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内

（10）申请公布号 CN107855922B

（43）申请公布日 2019.12.17

书

（72）发明人 魏艳军;由佰玲;吕莹;武卫;徐荣清

（74）专利代理机构 天津滨海科纬知识产权代理有限公司

代理人 刘莹

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺

（57）摘要

本发明提供了一种提升8英寸硅晶圆片几

何参数的工艺，包括抛光滴蜡的步骤和对硅片背面的表面进行清洁以改变抛光过程中机械作用强度的步骤；所述对硅片背面的表面进行清洁的步骤位于抛光滴蜡的步骤之前。本发明所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，在现有抛光技术的基础上增加抛光滴蜡前对于硅片背面的表面洁净程度状态的处理,改变抛光过程中抛光机械作用强度使抛光过程中的机械化学作用良好匹配，

从而很好的改善硅晶圆抛光片表面的平整度，达到完美硅晶圆抛光片表面的目的，达到硅晶圆抛光片的TTV≤2um，SFQR≤0.14um的目的。

法律状态

法律状态公告日

2018-03-30 2018-03-30 2018-03-30 2018-04-24 2018-04-24 2019-12-17

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺的说明书内容是....请下载后查看