专利名称：红外探测器读出电路铟凸点制备方法专利类型：发明专利
发明人：张轶,刘世光,孙浩,刘震宇申请号：CN201910929868.2申请日：20190929公开号：CN110660690A公开日：20200107
摘要：本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点制备方法，所述方法包括：通过光刻工艺将读出电路的不需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；通过热蒸发工艺将金属铟按所需厚度蒸镀在带有光刻胶的读出电路表面；通过光刻工艺将读出电路需要制备铟凸点的部位覆盖光刻胶；通过离子刻蚀工艺，将铟金属层及读出电路保持预定温度条件应用氩离子对其进行刻蚀，去除未受光刻胶保护的金属铟；去除读出电路上的光刻胶，并使金属铟收缩成球形即完成读出电路铟凸点制备。
申请人：中国电子科技集团公司第十一研究所
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
国籍：CN
代理机构：工业和信息化部电子专利中心
代理人：秦莹
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