专利名称：通过ALD或CVD工艺制备含金属薄膜专利类型：发明专利
发明人：金旼径,金武性,雷新建,杨相铉申请号：CN200810177899.9申请日：20081107公开号：CN101440478A公开日：20090527
摘要：本发明涉及通过ALD或CVD工艺制备含金属薄膜。本发明描述了通过化学蒸汽沉积或原子层沉积包含金属薄膜，例如金属硅酸盐或金属氧氮化硅薄膜的沉积方法。在一个具体实施方案中，含金属薄膜的沉积方法包括向反应室中引入吹扫气体之后引入金属酰胺前体，含硅前体和氧源的步骤。
申请人：气体产品与化学公司
地址：美国宾夕法尼亚州
国籍：US
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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